一种再生晶圆半导体加工装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111604791A(43)申请公布日2020.09.01(21)申请号202010345763.5B24B41/02(2006.01)(22)申请日2020.04.27H01L21/302(2006.01)H01L21/304(2006.01)(71)申请人顾骏地址241200安徽省芜湖市繁昌县荻港镇南桥老埠头7号(72)发明人顾骏(74)专利代理机构合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)34126代理人陈飞(51)Int.Cl.B24B29/02(2006.01)B24B41/06(2012.01)B24B41/04(2006.01)B24B47/12(2006.01)B24B41/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种再生晶圆半导体加工装置(57)摘要本发明属于晶圆半导体技术领域，尤其是一种再生晶圆半导体加工装置，针对现有技术中对晶圆表现的抛光效果差的问题，现提出以下方案，包括底座，所述底座的顶部固定有放置座，所述底座顶部的一端固定有升降架，且升降架靠近放置座的一端连接有顶板，所述顶板的底部固定有竖直放置的驱动电机，且驱动电机的输出轴固定有水平放置的抛光座，抛光座的底部固定有抛光布，所述抛光座的底部开设有多个滑槽，且滑槽的顶部内壁固定有气缸。本发明中，利用气缸下降抵块将抛光布的局部位置下压，而使抛光座底部在同一水平面进行转动抛光时，下降抵块所处的弧面下压深度和抛光力度更大，从而提高实际对晶圆表面的抛光效果。CN111604791ACN111604791A权利要求书1/1页1.一种再生晶圆半导体加工装置，包括底座（1），所述底座（1）的顶部固定有放置座（2），所述底座（1）顶部的一端固定有升降架，且升降架靠近放置座（2）的一端连接有顶板（4），所述顶板（4）的底部固定有竖直放置的驱动电机（5），且驱动电机（5）的输出轴固定有水平放置的抛光座（6），抛光座（6）的底部固定有抛光布（7），其特征在于，所述抛光座（6）的底部开设有多个滑槽，且滑槽的顶部内壁固定有气缸（9），气缸（9）的底端固定有圆柱状结构的抵块（8），抵块（8）的底端与抛光布（7）之间接触，多个抵块（8）与抛光座（6）底部圆心之间的距离依次增加。2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，相邻两个所述抵块（8）与抛光座（6）底部圆心之间的距离差小于抵块（8）的半径，且相邻两个抵块（8）与抛光座（6）底部圆心之间的距离相同。3.根据权利要求1或2所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述放置座（2）的顶部开设有截面为圆形的放置槽，且放置槽底部的中间位置开设有卡放槽，卡放槽的底部开设有穿槽，底座（1）顶部与穿槽对应的位置固定有电动推杆（13），电动推杆（13）的顶端固定有与卡放槽相适配的吸盘（3）。4.根据权利要求3所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述放置槽的底部内壁固定有环状结构的橡胶垫（14），且橡胶垫（14）的顶部开设有多个辅助槽（15）。5.根据权利要求4所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述辅助槽（15）沿着以抛光座（6）圆心的弧线两侧设置成倾斜面，且辅助槽（15）的截面设置成V型结构。6.根据权利要求1或2所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述顶板（4）底部外壁的两侧均固定有连接件（10），且连接件（10）的底端与抛光座（6）的顶部滑动连接。7.根据权利要求6所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述连接件（10）的底端固定有限位块（11），且抛光座（6）顶部与限位块（11）对应的位置开设有环状结构的连接槽，连接槽的底部开设有环状结构的限位槽，限位块（11）的外壁与限位槽的内壁滑动连接，连接件（10）的外壁与连接槽的内壁滑动连接，限位块（11）的宽度大于连接槽的宽度。8.根据权利要求1或2所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述放置座（2）顶部的两侧均固定有撑杆（16），且抛光座（6）底部的外圈设置有环状结构的凹陷槽。9.根据权利要求8所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述撑杆（16）的顶端转动连接有滚珠（17），且凹陷槽的顶部内壁开设有环状结构的定位槽，滚珠（17）的外壁与定位槽的内壁滚动连接。2CN111604791A说明书1/3页一种再生晶圆半导体加工装置技术领域[0001]本发明涉及晶圆半导体技术领域，尤其涉及一种再生晶圆半导体加工装置。背景技术[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆是由硅晶棒经过切段、滚磨、切片、倒角