晶圆加热装置以及半导体加工设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115938995A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202310158760.4(22)申请日2023.02.24(71)申请人深圳市新凯来技术有限公司地址518111广东省深圳市龙岗区平湖街道中科谷6栋1301(72)发明人沈俊峰(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师张宁刘芳(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/683(2006.01)H05B3/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称晶圆加热装置以及半导体加工设备(57)摘要本申请实施例提供一种晶圆加热装置以及半导体加工设备，其中，晶圆加热装置包括：传热壳；加热件，设置在所述传热壳的内腔中；隔热垫，与所述传热壳的底面的中部连接，所述隔热垫的导热率低于所述传热壳的导热率；支撑杆，与所述隔热垫的底面连接。半导体加工设备包括：基壳以及晶圆加热装置，所述晶圆加热装置的支撑杆可转动地设置于所述基壳，所述晶圆加热装置的传热壳随所述支撑杆的转动而绕着所述支撑杆的轴向转动。本申请实施例提供的晶圆加热装置以及半导体加工设备，具有减小因支撑杆传热引起的漏热，利于均衡传热壳的热量，利于晶圆的均衡受热，更利于依托于该晶圆制成的半导体的加工的优点。CN115938995ACN115938995A权利要求书1/2页1.一种晶圆加热装置，其特征在于，包括：传热壳；加热件，设置在所述传热壳的内腔中；隔热垫，与所述传热壳的底面的中部连接，所述隔热垫的导热率低于所述传热壳的导热率；支撑杆，与所述隔热垫的底面连接。2.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述加热件包括同心设置的多个加热部，且每个所述加热部的形状均为环状；所述多个加热部包括第一加热部，所述第一加热部位于所述加热件的中心；所述第一加热部沿所述支撑杆的轴向在所述隔热垫的底面的投影为第一投影；所述隔热垫和所述支撑杆的接触面位于所述第一投影的外侧。3.根据权利要求2所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述多个加热部还包括第二加热部，所述第二加热部邻近所述第一加热部且环绕在所述第一加热部的外周；所述第二加热部沿所述支撑杆的轴向在所述隔热垫的底面的投影为第二投影；所述隔热垫与所述支撑杆的接触面位于所述第二投影和所述第一投影之间。4.根据权利要求3所述的晶圆加热装置，其特征在于，每个所述加热部均为螺旋型电阻线；所述第一加热部具有第一螺距，且所述第一加热部与所述第二加热部之间具有第一间距；所述加热部的数量至少为三个；在排除所述第一加热部之外的所述加热部中，每个所述加热部均具有第二螺距，且相邻两个所述加热部之间具有第二间距；所述第一螺距小于所述第二螺距，所述第一间距大于所述第二间距。5.根据权利要求3所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述隔热垫和所述支撑杆的接触面具有相对设置的第一端与第二端，所述接触面的第一端朝向所述第一加热部，所述接触面的第二端朝向所述第二加热部；至少部分所述隔热垫超出所述接触面的第一端；和/或，至少部分所述隔热垫超出所述接触面的第二端。6.根据权利要求2‑5任一项所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述支撑杆具有贯穿孔，所述贯穿孔沿所述支撑杆的轴向在所述隔热垫的底面的投影为第三投影；所述第一投影位于所述第三投影的内侧。7.根据权利要求6所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述隔热垫的形状为环形；所述第一加热部沿所述支撑杆的轴向在所述隔热垫的顶面的投影，位于所述隔热垫的环内侧。8.根据权利要求7所述的晶圆加热装置，其特征在于，至少部分所述传热壳位于所述隔热垫的环内侧并与所述隔热垫连接。9.根据权利要求1‑5任一项所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述传热壳设有凹槽，所述隔热垫内嵌在所述凹槽中。10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括基壳以及如权利要求1‑9任一项所述的晶2CN115938995A权利要求书2/2页圆加热装置，所述晶圆加热装置的支撑杆可转动地设置于所述基壳，所述晶圆加热装置的传热壳随所述支撑杆的转动而绕着所述支撑杆的轴向转动。3CN115938995A说明书1/9页晶圆加热装置以及半导体加工设备技术领域[0001]本申请涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种晶圆加热装置以及半导体加工设备。背景技术[0002]近年来，随着半导体行业的快速发展，半导体工艺技术也取得长足的进展。半导体制造过程，包括晶圆制造、沉积、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、封装等工艺。其中，晶圆加热器是半导体制造设备的生产工艺中的关键部件。[0003]图1为相关技术的晶圆加热装置的示意图。参考图1，相关技术的晶圆加热装置包括承载台910、加热丝920以及转轴930。承载台910的顶面能够放置晶