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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111599714A(43)申请公布日2020.08.28(21)申请号202010345781.3(22)申请日2020.04.27(71)申请人顾骏地址241200安徽省芜湖市繁昌县荻港镇南桥老埠头7号(72)发明人顾骏(74)专利代理机构合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)34126代理人陈飞(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种再生晶圆半导体生产用冷却装置(57)摘要本发明属于半导体生产技术领域,尤其是一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,针对上述专利中的冷却装置冷却过程的冷却速率无法根据半导体自身的特性进行改变,有时候会有可能冷却过快影响半导体的生产质量问题,现提出以下方案,包括冷却箱,所述冷却箱的内壁通过螺钉固定有圆柱体结构的透气槽,且透气槽底部内壁的中间设置有固定块,所述透气槽的底部内壁通过螺钉固定有等距离环形分布的隔板。本发明当转板上的晶圆半导体转动分别经过第一冷却腔、第二冷却腔和第三冷却腔受到冷却气体的量依次增加,能够使得晶圆半导体在冷却的过程中有一个适应的过程,防止一次性冷却过快造成半导体的损坏,可以有效提高晶圆半导体生产质量。CN111599714ACN111599714A权利要求书1/1页1.一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,包括冷却箱(13),其特征在于,所述冷却箱(13)的内壁通过螺钉固定有圆柱体结构的透气槽(11),且透气槽(11)底部内壁的中间设置有固定块(18),所述透气槽(11)的底部内壁通过螺钉固定有等距离环形分布的隔板(17),且透气槽(11)包括第一冷却腔、第二冷却腔和第三冷却腔,所述第一冷却腔、第二冷却腔和第三冷却腔的底部内壁均开设有等距离分布的透气孔(3),且第一冷却腔、第二冷却腔和第三冷却腔内透气孔(3)的数量依次增加,所述透气孔(3)的截面为梯形结构,所述固定块(18)的顶部外壁开设有凹槽,且凹槽的内壁设置有电动机(12),所述电动机(12)的输出轴通过联轴器连接有转板(1),且转板(1)的顶部外壁设置有等距离环形分布的固定槽(19),所述固定槽(19)顶部外壁的一侧铰接有弧形盖(23),且弧形盖(23)的外壁开设有出气孔(24)。2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述固定槽(19)的底部内壁设置有透气网(20),且固定槽(19)的四周内壁均设置有橡胶凸起(21)。3.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述冷却箱(13)的顶部外壁通过螺钉固定有风机(15),且风机(15)的输入端与冷却箱(13)相连通,风机(15)的输出端套接有排气斗(14)。4.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述冷却箱(13)的一侧外壁开设有通口,且通口的内壁通过铰链连接有密封盖(16)。5.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述透气槽(11)顶部外壁的边缘处开设有环形结构的滑槽,且滑槽的内壁滑动连接有滚珠(2),滚珠(2)的顶端与转板(1)的底部外壁形成滑动配合。6.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述透气槽(11)的底部外壁通过螺钉固定有第一导流块(4),且第一导流块(4)为圆锥型结构。7.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述冷却箱(13)的底端套接有进风盘(6),且进风盘(6)的四周外壁开设有四至六个等距离环形分布的进风口,进风口的内壁设置有支架(7),支架(7)的外壁通过螺钉固定有马达(9),马达(9)的输出轴通过联轴器连接有扇叶(8)。8.根据权利要求7所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述进风盘(6)底部内壁的中部设置有第二导流块(5),且第二导流块(5)为圆锥型结构。9.根据权利要求7或8所述的一种再生晶圆半导体生产用冷却装置,其特征在于,所述进风盘(6)的顶部外壁和底部外壁均开设有等距离环形分布的安装孔,且安装孔的内壁插接有半导体制冷片(10),半导体制冷片(10)的制冷端位于进风盘(6)内。2CN111599714A说明书1/4页一种再生晶圆半导体生产用冷却装置技术领域[0001]本发明涉及半导体生产技术领域,尤其涉及一种再生晶圆半导体生产用冷却装置。背景技术[0002]晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底,由于是晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆,衬底材料有硅、锗等,由于硅最为常用,如果没有特别指明晶体材料,通常指硅晶圆,在晶圆半导体生产的过程中常常需要对高温加热后的晶圆进行退火冷却。[0003]经检索,中国专利授权号为