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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111730772A(43)申请公布日2020.10.02(21)申请号202010635839.8(22)申请日2020.07.03(71)申请人顾骏地址241200安徽省芜湖市繁昌县荻港镇南桥老埠头7号(72)发明人顾骏(74)专利代理机构合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)34126代理人陈飞(51)Int.Cl.B28D5/02(2006.01)B28D7/00(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种半导体加工用晶圆切割装置(57)摘要本发明涉及一种半导体加工用晶圆切割装置,属于半导体加工设备技术领域,包括用于安装晶圆的切割台和用于安装切割机构的切割架,所述切割机构包括第一切割轮和旋转电机,所述旋转电机固定安装在切割架上,所述第一切割轮上固定安装有第一切割刀,所述第一切割刀包括多个切割深度不同的第一刀片。本发明通过设置多个错开设置的切割深度不同的第一刀片和第二刀片所组成的第一切割刀和第二切割刀安装在第一切割轮和第二切割轮,并设置调节机构来调节两个切割轮之间的距离,从而通过一次切割实现两次彻底切割,且每次彻底切割均为多次切割,大大提高了切割效率,保证了切割质量,实用性强。CN111730772ACN111730772A权利要求书1/1页1.一种半导体加工用晶圆切割装置,包括用于安装晶圆(2)的切割台(1)和用于安装切割机构的切割架(5),其特征在于:所述切割机构包括第一切割轮(3)和旋转电机(11),所述旋转电机(11)固定安装在切割架(5)上,所述第一切割轮(3)内安装有滑杆(7),所述滑杆(7)两端均设置切割架(5)内并与其滑动连接,所述滑杆(7)内安装有与其螺纹连接的螺纹杆(10),所述螺纹杆(10)一端与切割架(5)转动连接,另一端与旋转电机(11)的输出端固定连接,所述第一切割轮(3)上固定安装有第一切割刀(4),所述第一切割刀(4)包括多个切割深度不同的第一刀片。2.根据权利要求1所述的半导体加工用晶圆切割装置,其特征在于:所述切割机构还包括第二切割轮(14),所述第二切割轮(14)上安装有第一切割刀(4),所述第二切割轮(14)通过调节机构(8)与第一切割轮(3)相连。3.根据权利要求2所述的半导体加工用晶圆切割装置,其特征在于:所述调节机构(8)包括调节柱(12),所述调节柱(12)一侧固定安装有第一螺纹柱(9),另一侧固定安装有第二螺纹柱(13),所述第二螺纹柱(13)的螺纹方向与第一螺纹柱(9)的螺纹方向相反,所述第一螺纹柱(9)远离调节柱(12)一端贯穿第一切割轮(3)并与其螺纹连接,所述第二螺纹柱(13)远离调节柱(12)一端贯穿第二切割轮(14)并与其螺纹连接。4.根据权利要求1所述的半导体加工用晶圆切割装置,其特征在于:所述切割架(5)内开设有限位槽(6),所述滑杆(7)设置在限位槽(6)内并与其滑动连接。5.根据权利要求2所述的半导体加工用晶圆切割装置,其特征在于:所述第一切割轮(3)和第二切割轮(14)远离第一切割刀(4)一侧固定安装有第二切割刀(15),所述第二切割刀(15)包括多个切割深度不同的第二刀片,所述第一切割轮(3)和第二切割轮(14)均套设在滑杆(7)外部并与其滑动连接。6.根据权利要求5所述的半导体加工用晶圆切割装置,其特征在于:所述滑杆(7)表面开设有第一滑槽(16)和第二滑槽(17),所述第二滑槽(17)与第一滑槽(16)相互垂直,所述第二滑槽(17)通过环形槽(18)与第一滑槽(16)相连。7.根据权利要求5所述的半导体加工用晶圆切割装置,其特征在于:所述第一切割轮(3)内固定安装有第一滑块(19),所述第一滑块(19)设置在第一滑槽(16)内并与其滑动连接,所述第二切割轮(14)内固定安装有第二滑块(20),所述第二滑块(20)设置在第二滑槽(17)内并与其滑动连接。2CN111730772A说明书1/3页一种半导体加工用晶圆切割装置技术领域[0001]本发明涉及半导体加工设备技术领域,具体是一种半导体加工用晶圆切割装置。背景技术[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片),由于是晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆。[0003]在晶圆加工过程中需要使用切割装置,而现有的切割装置在进行切割时,在同一切割道用同一把刀分4-5次切割切断方法,单刀多次切割切断方法就是采用同一刀把碳化硅晶圆同一切割道分4-5次切透的方式进行加工,不仅切割效率低,而且切割质量得不到保证,因此需要进行优化