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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102053495A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102053495A(43)申请公布日2011.05.11(21)申请号201010541116.8(51)Int.Cl.(22)申请日2010.11.05G03F7/004(2006.01)G03F7/00(2006.01)(30)优先权数据2009-2566922009.11.10JP(71)申请人住友化学株式会社地址日本国东京都(72)发明人市川幸司桥本和彦夏政焕(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人程金山权利要求书1页说明书79页(54)发明名称光致抗蚀剂组合物(57)摘要本发明提供一种光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包含:树脂,该树脂包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元,其中R1表示C1-C6含氟烷基,R2表示氢原子或甲基,并且A表示C1-C10二价饱和烃基,并且该树脂不溶或难溶于碱性水溶液,但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液;以及由式(II)表示的酸生成剂,其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基,X1表示单键或C1-C17二价饱和烃基,在所述C1-C17二价饱和烃基中,一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,Y1表示可以具有一个或多个取代基的C1-C36脂族烃基,等,并且Z+表示有机抗衡阳离子。CN1025349ACCNN110205349502053502A权利要求书1/1页1.一种光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包含:树脂,所述树脂包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元:其中R1表示C1-C6含氟烷基,R2表示氢原子或甲基,并且A表示C1-C10二价饱和烃基,并且所述树脂不溶或难溶于碱性水溶液,但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液;以及由式(II)表示的酸生成剂:其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基,X1表示单键或C1-C17二价饱和烃基,在所述C1-C17二价饱和烃基中,一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,Y1表示可以具有一个或多个取代基的C1-C36脂族烃基,可以具有一个或多个取代基的C3-C36饱和环状烃基,或可以具有一个或多个取代基的C6-C36芳族烃基,并且在所述脂族+烃基和所述饱和环状烃基中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,并且Z表示有机抗衡阳离子。2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中X1是*-CO-O-X3-,其中X3表示单键或C1-C15亚烷基,并且*表示与-C(Q1)(Q2)-的结合位置。3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中Z+是三芳基锍阳离子。4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。5.一种用于制造光致抗蚀剂图案的方法,所述方法包括下面的步骤(1)至(5):(1)将根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在衬底上的步骤,(2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤,(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤,(4)将已曝光的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤,以及(5)使用碱性显影剂将已烘焙的光致抗蚀剂膜显影,由此形成光致抗蚀剂图案的步骤。2CCNN110205349502053502A说明书1/79页光致抗蚀剂组合物技术领域[0001]本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物。背景技术[0002]光致抗蚀剂组合物用于采用光刻工艺的半导体微制造。[0003]JP2009-237379A1公开了一种光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包括:树脂(X1),所述树脂(X1)具有衍生自由式(D)表示的单体、由式(B)表示的单体和由式(J)表示的单体的结构单元;树脂(X2),所述树脂(X2)具有衍生自由式(D)表示的单体、由式(B)表示的单体、由式(J)表示的单体和由式(K)表示的单体的结构单元;以及,作为酸生成剂的甲苯基二苯基锍全氟丁磺酸盐。[0004]发明内容[0005]本发明提供一种光致抗蚀剂组合物。[0006]本发明涉及如下方面:[0007]<1>一种光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包含:[0008]树脂,所述树脂包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元:[0009]3CCNN110205349502053502A说明书2/79页[0010]其中R1表示C1-C6含氟烷基,R2表示氢原子或甲基,并且A表示C1-C10二价饱和烃基,并且所述树脂不溶或难溶于碱性水溶液,但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液;以及[0011]由式(II)表示的酸生成剂:[0012][0013]其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基,X1表示单键或C1-C17二价饱和烃基,在所述C1-C17二价饱和烃基中,一个或多个-CH2-可以被-O-