光致抗蚀剂底层组合物.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115877656A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211113486.0(22)申请日2022.09.13(30)优先权数据17/4908162021.09.30US(71)申请人罗门哈斯电子材料有限责任公司地址美国马萨诸塞州(72)发明人L-S·柯A·查韦斯山田晋太郎(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100专利代理师陈哲锋乐洪咏(51)Int.Cl.G03F7/004(2006.01)G03F7/11(2006.01)权利要求书5页说明书32页(54)发明名称光致抗蚀剂底层组合物(57)摘要公开了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含：包含两个或更多个羟基的第一材料；包含两个或更多个缩水甘油基的第二材料；添加剂，其中所述添加剂包含具有式(5)的化合物、具有式(6)的化合物、或其组合；以及溶剂，其中式(5)和(6)的结构如本文所公开。CN115877656ACN115877656A权利要求书1/5页1.一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含：包含两个或更多个羟基的第一材料；包含两个或更多个缩水甘油基的第二材料；添加剂，其中所述添加剂包含具有式(5)的化合物、具有式(6)的化合物、或其组合；以及溶剂，其中，在式(5)和(6)中，AA表示单键或双键；X是单键、‑C(O)‑、未取代的C1亚烷基、或羟基取代的C1亚烷基；567Ar、Ar、和Ar各自独立地是C6‑60芳基或C1‑60杂芳基；其中Ar5、Ar6、和Ar7各自独立地被至少两个具有式‑OR2的基团取代；任选地，其中Ar5、Ar6、和Ar7各自独立地被进一步取代；12R和R各自独立地是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、‑C(O)OR5a、或缩水甘油基；A每个R独立地是取代或未取代的C1‑10烷基、取代或未取代的C1‑10杂烷基、取代或未取代的C3‑10环烷基、取代或未取代的C2‑10杂环烷基、取代或未取代的C6‑12芳基、或取代或未取代的C1‑10杂芳基；5a每个R独立地是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C1‑30杂芳基、取代或未取代的C2‑30杂芳基烷基、或取代或未取代的C2‑30烷基杂芳基；3R是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C1‑30杂环烷基、羧酸基或其衍生物、或‑C(O)OR5b；5bR是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C1‑30杂芳基、取代或未取代的C2‑30杂芳基烷基、或取代或未取代的C2‑30烷基杂芳基；a是从2至4的整数；m是从1至6的整数；n是0或1；p是从0至2的整数；并且2Y是氢、取代或未取代的C6‑60芳基、或取代或未取代的C1‑60杂芳基。2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂底层组合物，其中，所述添加剂包含由式(5a)表示的2CN115877656A权利要求书2/5页化合物：其中，在式(5a)中，AA表示单键或双键；X是单键、‑C(O)‑、未取代的C1亚烷基、或羟基取代的C1亚烷基；12R和R各自独立地是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、‑C(O)OR5a、或缩水甘油基；A每个R独立地是取代或未取代的C1‑10烷基、取代或未取代的C1‑10杂烷基、取代或未取代的C3‑10环烷基、取代或未取代的C2‑10杂环烷基、取代或未取代的C6‑12芳基、或取代或未取代的C1‑10杂芳基；B每个R独立地是取代或未取代的C1‑10烷基、取代或未取代的C1‑10杂烷基、取代或未取代的C3‑10环烷基、取代或未取代的C2‑10杂环烷基、取代或未取代的C6‑12芳基、或取代或未取代的C1‑10杂芳基；5a每个R独立地是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C1‑30杂芳基、取代或未取代的C2‑30杂芳基烷基、或取代或未取代的C2‑30烷基杂芳基；a是从2至4的整数；b是