抗反射涂料组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103353706A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103353706103353706A(43)申请公布日2013.10.16(21)申请号201310254286.1G03F7/00(2006.01)(22)申请日2007.10.15C09D133/04(2006.01)(30)优先权数据11/550,4592006.10.18US(62)分案原申请数据200780038931.92007.10.15(71)申请人AZ电子材料美国公司地址美国新泽西(72)发明人金羽圭吴恒鹏D·J·阿布达拉M·内瑟卢炳宏张汝志M·D·拉曼(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人宓霞(51)Int.Cl.G03F7/09(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书14页说明书14页(54)发明名称抗反射涂料组合物(57)摘要本发明涉及抗反射涂料组合物，其包含（i）热致酸产生剂；（ii）包含至少一种芳族基团的可交联聚合物；和（iii）包含至少一种结构（6）单元的聚合物型交联剂，其中R11-R13独立地选自H、（C1-C6）烷基和芳族基团，R14和R15独立地是（C1-C10）烷基。本发明还涉及使本发明抗反射涂料组合物成像的方法。CN103353706ACN103576ACN103353706A权利要求书1/1页1.抗反射涂料组合物，包含（i）热致酸产生剂；（ii）包含结构（3）和（4）的单元的可交联丙烯酸酯聚合物，其中，R2-R7独立地选自H、C1-C6烷基和C1-C6亚烷基羟基，R8是非芳族基团，R9包含芳族结构部分，该芳族结构部分选自未取代的苯基；和（iii）包含至少一种结构（6）单元的聚合物型交联剂，其中R11-R13独立地选自H、（C1-C6）烷基和芳族基团，R14和R15独立地是（C1-C10）烷基。2.权利要求1的组合物，其中该热致酸产生剂选自碘盐、甲苯磺酸酯、苯磺酸盐的衍生物和萘磺酸盐的衍生物。3.权利要求1的组合物，其中所述聚合物型交联剂进一步包含苯乙烯类或（甲基）丙烯酸酯单元。4.权利要求1的组合物，其中R14和R15是甲基。5.权利要求1的组合物，其中所述组合物在固化后的碳含量大于75wt%。6.光致抗蚀剂的成像方法，包括以下步骤：a）在基材上由权利要求1-5中任一项的抗反射涂料组合物形成抗反射涂层；b）在抗反射涂层上方形成光致抗蚀剂的涂层；c）用曝光设备将该光致抗蚀剂成像式曝光；和d）用含水碱性显影剂将该涂层显影。7.根据权利要求6的方法，其中成像式曝光的辐射选自248nm、193nm和157nm。8.根据权利要求6或7的方法，其中该显影剂是氢氧化四甲基铵的水溶液。2CN103353706A说明书1/14页抗反射涂料组合物[0001]本分案申请是基于申请号为200780038931.9，申请日为2007年10月15日，发明名称为“抗反射涂料组合物”的中国专利申请的分案申请。技术领域[0002]本发明涉及包含可交联聚合物、聚合物型交联剂和热致酸产生剂的吸收性抗反射涂料组合物，和使用该抗反射涂料组合物形成图像的方法。所述方法尤其可用于使用深紫外（uv）区域中的辐射使光致抗蚀剂成像。背景技术[0003]光致抗蚀剂组合物用于缩微光刻方法，这些方法例如在计算机芯片和集成电路的制造中用于制造小型化电子元件。通常，在这些方法中，首先将光致抗蚀剂组合物的薄涂膜施涂于基材材料上，例如用于制造集成电路的硅晶片上。然后烘烤该已涂覆的基材以蒸发该光致抗蚀剂组合物中的任何溶剂并将该涂层固定到该基材上。该涂覆在基材上的光致抗蚀剂接下来经历辐射下的成像式曝光。[0004]该辐射曝光导致该涂覆表面的曝光区域发生化学转变。目前，可见光、紫外（UV）光、电子束和X射线辐射能是缩微光刻方法中常用的辐射类型。在这一成像式曝光之后，用显影剂溶液处理该已涂覆的基材以溶解和除去该光致抗蚀剂经辐射曝光（正性光致抗蚀剂）的或未曝光（负性光致抗蚀剂）的区域。[0005]正作用光致抗蚀剂当它们受辐射成像式曝光时会使该光致抗蚀剂组合物受辐射曝光的那些区域变得对于显影剂溶液更加可溶，然而没有曝光的那些区域保持对于显影剂溶液相对不可溶。因此，用显影剂对经曝光的正作用光致抗蚀剂的处理使得涂层的曝光区域被除去和在光致抗蚀涂层中形成正像。再次露出下方表面的所需部分。[0006]负作用光致抗蚀剂当它们经历辐射成像式曝光时，会使该光致抗蚀剂组合物受辐射曝光的那些区域变得对于显影剂溶液不可溶，而没有曝光的那些区域保持对于该显影剂溶液相对可溶。因此，用显影剂对未曝光过的负作用光致抗蚀剂的处理使得涂层的未曝光区域被除去和在光致抗蚀涂层中形成负像。再次露出下方表面的所需部分。[0007