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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102365268A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102365268A(43)申请公布日2012.02.29(21)申请号201080013928.3(51)Int.Cl.(22)申请日2010.03.24C07C409/22(2006.01)G03C1/00(2006.01)(30)优先权数据12/409,7382009.03.24US(85)PCT申请进入国家阶段日2011.09.26(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0284302010.03.24(87)PCT申请的公布数据WO2010/111345EN2010.09.30(71)申请人国际商业机器公司地址美国纽约(72)发明人黄武松I·波波瓦P·R·瓦拉纳希L·维克利基(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人陈文平尚继栋权利要求书10页说明书15页附图3页(54)发明名称自形成的顶抗反射涂料组合物以及利用该组合物的光致抗蚀剂混合物和成像方法(57)摘要本发明提供一种物质的组合物。该物质的组合物包括一种聚合物,该聚合物具有烯属主链且包含具有芳族基团的第一单体、具有碱溶性基团或酸不稳定性保护的碱溶性基团的第二单体和具有氟烷基基团的第三单体。本发明还提供一种包括该物质的组合物的光致抗蚀剂制剂以及一种使用包括该物质的组合物的该光致抗蚀剂制剂的成像方法。CN1023658ACCNN110236526802365289A权利要求书1/10页1.一种物质的组合物,其包含:聚合物,该聚合物具有烯属主链且包含具有芳族基团的第一单体、具有碱溶性基团或酸不稳定性保护的碱溶性基团的第二单体和具有氟烷基基团的第三单体;和浇铸溶剂。2.如权利要求1的物质的组合物,其中所述第二单体还具有氟烷基基团。3.如权利要求1的物质的组合物,其中对于约193nm的辐射波长,所述聚合物具有小于约1.53的折射率。4.如权利要求1的物质的组合物,其中所述芳族基团选自由以下组成的组:经取代或未经取代的芳族基团、经取代的稠合芳族基团、经取代的杂环芳族基团、未经取代的稠合芳族基团和未经取代的杂环芳族基团。5.如权利要求1的物质的组合物,其中所述芳族基团选自由以下组成的组:萘、二氢苊和六氢芘。6.如权利要求1的物质的组合物,其中所述第一单体为:7.如权利要求1的物质的组合物,其中所述第二单体选自由以下组成的组:2CCNN110236526802365289A权利要求书2/10页3CCNN110236526802365289A权利要求书3/10页8.如权利要求1的物质的组合物,其中所述第二单体选自由以下组成的组:4CCNN110236526802365289A权利要求书4/10页9.如权利要求1的物质的组合物,其中所述第三单体选自由以下组成的组:10.如权利要求1的物质的组合物,其中所述聚合物基本由以下单体组成:5CCNN110236526802365289A权利要求书5/10页其中x介于约5摩尔%与约80摩尔%之间,y介于约5摩尔%与约80摩尔%之间,z介于约10摩尔%与约80摩尔%之间,且x+y+z=约100摩尔%。11.如权利要求1的物质的组合物,其中所述聚合物基本由以下单体组成:其中x介于约5摩尔%与约80摩尔%之间,y介于约5摩尔%与约80摩尔%之间,z介于约10摩尔%与约80摩尔%之间,且x+y+z=约100摩尔%。12.如权利要求1的物质的组合物,其中所述聚合物基本由以下单体组成:其中x介于约5摩尔%与约80摩尔%之间,y介于约5摩尔%与约80摩尔%之间,z介于约10摩尔%与约80摩尔%之间,且x+y+z=约100摩尔%。13.一种光致抗蚀剂制剂,其包含:光致抗蚀剂聚合物;至少一种光酸产生剂;浇铸溶剂;和聚合物,其具有烯属主链且包含具有芳族基团的第一单体、具有碱溶性基团或酸不稳定性保护的碱溶性基团的第二单体和具有氟烷基基团的第三单体,其中对于约193nm的辐射波长,所述聚合物具有小于约1.53的折射率。14.如权利要求13的光致抗蚀剂制剂,其中所述第二单体还具有氟烷基基团。15.一种形成图案化材料特征结构的方法,其包括以下步骤:(a)将光致抗蚀剂制剂涂覆于基板上的材料上,所述光致抗蚀剂制剂包含:光致抗蚀剂聚合物;至少一种光酸产生剂;浇铸溶剂;和聚合物,其具有烯属主链且包含具有芳族基团的第一单体、具有碱溶性基团或酸不稳定性保护的碱溶性基团的第二单体和具有氟烷基基团的第三单体,其中对于约193nm的辐射波长,所述聚合物具有小于约1.53的折射率;(a)之后,(b)该光致抗蚀剂制剂分离形成顶抗反射涂层和光致抗蚀剂层,该光致抗蚀剂层在该抗反射涂层与该基板之间;(b)之后,(c)将该光致抗蚀剂层以图案化方式暴露于光化辐射,由此在该光