包含硅氧烷化合物的抗反射涂敷组合物及利用其的抗反射膜.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104619795A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.05.13(21)申请号201280075562.1(51)Int.Cl.(22)申请日2012.12.27C09D183/02(2006.01)G02B1/111(2015.01)(30)优先权数据C08J5/18(2006.01)10-2012-00976592012.09.04KR(85)PCT国际申请进入国家阶段日2015.02.28(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2012/0115782012.12.27(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/038760KO2014.03.13(71)申请人乐金华奥斯有限公司地址韩国首尔(72)发明人赵烘宽洪周希金源国(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人吕琳刘明海权利要求书2页说明书8页(54)发明名称包含硅氧烷化合物的抗反射涂敷组合物及利用其的抗反射膜(57)摘要本发明涉及能够形成具有低折射率的涂敷层的抗反射涂敷组合物、利用该抗反射涂敷组合物制备的抗反射膜及上述抗反射膜的制备方法，更具体地，涉及使用由具有氟烷基的有机硅烷(organosilane)与烷氧基硅烷进行反应来合成的硅氧烷化合物作为粘结剂而包含的抗反射涂敷组合物来形成涂敷层，使反射率最小化的抗反射膜及其制备方法。利用上述涂敷组合物制备的抗反射膜具有优秀的抗反射效果，因而有望适用于触控膜等多种显示器设备。CN104619795ACN104619795A权利要求书1/2页1.一种抗反射涂敷组合物，其特征在于，包括：粘结剂，将由下述化学式1表示的硅烷化合物与由下述化学式2表示的有机硅烷化合物进行聚合而形成；以及中空二氧化硅粒子；[化学式1]12RxSi(OR)4-x所述化学式1中，R1为碳数为1～10的烷基、碳数为6～10的芳基或者碳数为3～10的烯基，且R2为碳数为1～6的烷基，x为0≤x<4的整数；[化学式2]34RySi(OR)4-y所述化学式2中，R3为碳数为1～12的氟烷基，R4为碳数为1～6的烷基，y为0≤x<4的整数。2.根据权利要求1所述的抗反射涂敷组合物，其特征在于，由所述化学式1表示的硅烷化合物为选自四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基甲硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷及二苯基二乙氧基硅烷中的一种或二种以上的化合物。3.根据权利要求1所述的抗反射涂敷组合物，其特征在于，由所述化学式2表示的有机硅烷化合物为选自三氟甲基三甲氧基硅烷、三氟甲基三乙氧基硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、三氟丙基三乙氧基硅烷、九氟丁基乙基三甲氧基硅烷、九氟丁基乙基三乙氧基硅烷、九氟己基三甲氧基硅烷、九氟己基三乙氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷及十七氟癸基三乙氧基硅烷中的一种或二种以上的化合物。4.根据权利要求1所述的抗反射涂敷组合物，其特征在于，所述化学式1的x为0、1或者2的整数。5.根据权利要求1所述的抗反射涂敷组合物，其特征在于，所述化学式2的R3为碳数3～5的氟烷基。6.根据权利要求1所述的抗反射涂敷组合物，其特征在于，所述中空二氧化硅粒子的数平均直径在1nm～1000nm范围内。7.根据权利要求1所述的抗反射涂敷组合物，其特征在于，相对于100重量份的所述中空二氧化硅粒子，包含10重量份～120重量份的所述粘结剂。8.一种抗反射膜，其特征在于，包含在基材表面涂敷选自权利要求1至7中的任一项所述的抗反射涂敷组合物而形成的低折射率层。9.根据权利要求8所述的抗反射膜，其特征在于，所述低折射率层的折射率在1.20～1.25范围内。10.根据权利要求8所述的抗反射膜，其特征在于，所述低折射率层的厚度为1nm～2CN104619795A权利要求书2/2页1000nm。11.根据权利要求8所述的抗反射膜，其特征在于，透射率为96％以上，视感反射率在0.5％～1.0％范围内。12.一种触控面板，其特征在于，包含权利要求8所述的抗反射膜。13.一种抗反射膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将由下述化学式1表示的硅烷化合物与由下述化学式2表示的有机硅烷化合物进行聚合来制备粘结剂的步骤；制备包括在中空二氧化硅粒子添加