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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109709594A(43)申请公布日2019.05.03(21)申请号201811549118.4(22)申请日2018.12.18(71)申请人北京纳米维景科技有限公司地址100094北京市海淀区北清路68号院1号楼一层1-06(72)发明人杨凯(74)专利代理机构北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙)11381代理人陈曦任佳(51)Int.Cl.G01T1/202(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称闪烁屏封装结构制造方法、闪烁屏封装结构及影像探测器(57)摘要本发明公开了一种闪烁屏封装结构制造方法、闪烁屏封装结构及影像探测器。该制造方法包括,在基板的某一表面制作晶柱状闪烁体层;在形成有晶柱状闪烁体层的基板外围制作防潮层;在防潮层除用于接收X射线的表面以外的其余表面制作X射线吸收层;在X射线吸收层的外表面和防潮层用于接收X射线的表面制作保护层。本制造方法通过依次制作晶柱状闪烁体层、防潮层、X射线吸收层和保护层,提高了所形成的闪烁屏封装结构的X射线吸收率、转换的可见光的透过率及耐湿性能。并且,通过增加X射线吸收层,以吸收晶柱状闪烁体层未完全吸收的X射线,实现对X射线图像传感器的电子电路的X射线屏蔽,从而降低X射线对X射线图像传感器的辐射干扰。CN109709594ACN109709594A权利要求书1/1页1.一种闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于包括如下步骤:在基板的某一表面制作晶柱状闪烁体层;在形成有所述晶柱状闪烁体层的所述基板外围制作防潮层;在所述防潮层除用于接收X射线的表面以外的其余表面制作X射线吸收层;在所述X射线吸收层的外表面和所述防潮层用于接收X射线的表面制作保护层。2.一种闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于包括如下步骤:在基板的某一表面制作晶柱状闪烁体层;在形成有所述晶柱状闪烁体层的所述基板外围制作防潮层;在所述防潮层除用于接收X射线的表面以外的其余表面制作第一夹层;在所述第一夹层的外表面制作X射线吸收层;在所述X射线吸收层的外表面制作第二夹层;在所述第二夹层的外表面和所述防潮层用于接收X射线的表面制作保护层。3.如权利要求1或2所述的闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于在所述基板的某一表面制作晶柱状闪烁体层,包括如下子步骤:选取所述基板和待形成所述晶柱状闪烁体层的原材料;采用真空蒸镀法,使待形成所述晶柱状闪烁体层的原材料在所述基板上形成所述晶柱状闪烁体层。4.如权利要求1或2所述的闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于在:所述基板选取具有高可见光反射率和X射线透过率的基板。5.如权利要求1或2所述的闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于在:待形成所述晶柱状闪烁体层的原材料选取将X射线转换为可见光的X射线转换材料。6.如权利要求1或2所述的闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于在:所述防潮层和所述保护层分别为采用化学气相淀积方法得到的透明有机膜。7.如权利要求1或2所述的闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于在:所述X射线吸收层为高原子序数的材料采用真空磁控溅射法得到的氧化物膜。8.如权利要求2所述的闪烁屏封装结构制造方法,其特征在于在:所述第一夹层和所述第二夹层分别为采用真空磁控溅射法得到的无机增透膜。9.一种闪烁屏封装结构,其特征在于由权利要求1~8中任一项所述的闪烁屏封装结构制造方法制造而成。10.一种X射线影像探测器,其特征在于包括权利要求8所述的闪烁屏封装结构,在所述闪烁屏封装结构的底部设置有X射线图像传感器。2CN109709594A说明书1/6页闪烁屏封装结构制造方法、闪烁屏封装结构及影像探测器技术领域[0001]本发明涉及一种晶柱状闪烁屏封装结构(以下简称闪烁屏封装结构)的制造方法,同时也涉及由该制造方法制作的闪烁屏封装结构及影像探测器,属于X射线辐射成像领域。背景技术[0002]在工业及医疗业,X射线探测器被广泛的应用,作为X射线探测器必不可少的闪烁屏部分也越来越重要。目前常用的闪烁屏分为晶柱状闪烁屏和陶瓷闪烁屏;其中,常用的晶柱状闪烁屏以碘化铯、碘化钠等闪烁材料为代表;该种闪烁屏具有高亮度、高分辨率等优点,而晶柱状闪烁屏相比于陶瓷闪烁屏(硫氧化钆、锗酸铋)存在两大不足。一方面,其属于易受潮材料,暴露在空气中会吸收水分而潮解,从而会降低闪烁屏的特性,尤其会导致图像分辨率大为降低。另一方面,其密度低、晶柱空隙率高、存在残余X射线穿透闪烁屏影响X射线图像传感器中的电子电路。[0003]目前,常规的晶柱状闪烁屏的封装方案中并未考虑晶柱间空隙。通常,不是入射到闪烁屏组上的所有X射线都能被吸收,其吸收效率与闪烁屏密度及闪烁材料原子序数Z有很大的相关性,特别是晶柱状闪烁屏,其吸收效率远低于陶瓷闪烁屏。因此,晶柱