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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116017964A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202111228403.8(22)申请日2021.10.21(71)申请人鹏鼎控股(深圳)股份有限公司地址518105广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区松罗路鹏鼎园区厂房A1栋至A3栋申请人宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司(72)发明人彭满芝周雷刘瑞武(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334专利代理师刘龄霞徐丽(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称封装结构及封装结构的制造方法(57)摘要一种封装结构的制造方法,包括步骤:提供封装基板,所述封装基板包括第一基材层、内侧线路层及内埋电子元件,所述内侧线路层设置于所述第一基材层上,所述内埋电子元件设置于所述内侧线路层上。于所述内埋电子元件的外围包覆屏蔽膜,所述屏蔽膜包括导电粉体。激光照射所述屏蔽膜,使得至少部分所述导电粉体聚集并形成导电屏蔽壳,获得所述封装结构。本申请提供的封装结构的制造方法可实现对内埋电子元件的选择性电磁屏蔽。另外,本申请还提供一种封装结构。CN116017964ACN116017964A权利要求书1/2页1.一种封装结构的制造方法,其特征在于,包括步骤:提供一封装基板,所述封装基板包括第一基材层、内侧线路层及内埋电子元件,所述内侧线路层设置于所述第一基材层上,所述内埋电子元件设置于所述内侧线路层上;于所述内埋电子元件的外围包覆一屏蔽膜,所述屏蔽膜包括导电粉体;激光照射所述屏蔽膜,使得至少部分所述导电粉体聚集并形成导电屏蔽壳,获得所述封装结构。2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述封装基板包括屏蔽区以及除所述屏蔽区以外的非屏蔽区,部分所述内埋电子元件设于所述屏蔽区内,另一部分所述内埋电子元件设于所述非屏蔽区,所述制造方法还包括:激光照射屏蔽区内的所述屏蔽膜,以使得所述屏蔽区内的所述导电粉体聚集以形成导电屏蔽壳。3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述封装基板的制造方法包括:提供一内侧覆铜基板,所述内侧覆铜基板包括所述第一基材层及设置于所述基材层上的内侧铜箔层;蚀刻所述内侧铜箔层以形成所述内侧线路层;于所述内侧线路层上设置第一防焊层,所述第一防焊层具有第一开窗,部分所述内侧线路层于所述内侧开窗的底部露出;以及于所述内侧开窗内设置所述内埋电子元件,所述内埋电子元件电性连接所述内侧线路层,获得所述封装基板。4.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,还包括步骤:于所述导电屏蔽壳上设置线路基板,所述线路基板包括第二基材层、外侧线路层以及导通体,所述第二基材层设置于所述导电屏蔽壳上,所述外侧线路层设置于所述第二基材层上,所述导通体贯穿所述第二基材层,所述导通体电性连接所述外侧线路层和所述导电屏蔽壳。5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,于所述导电屏蔽壳上设置线路基板之前还包括步骤:于所述导电屏蔽壳上设置金属层。6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,还包括步骤:于所述金属层上设置外侧覆铜基板,所述外侧覆铜基板包括所述第二基材层及外侧铜箔层,所述第二基材层设于所述外侧铜箔层和所述金属层之间;于所述外侧覆铜基板上设置开孔,所述开孔贯穿所述第二基材层和所述外侧铜箔层,部分所述金属层于所述开孔的底部露出;于所述开孔内设置所述导通体,以及蚀刻所述外侧铜箔层以形成所述外侧线路层。7.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,还包括步骤:于所述外侧线路层上盖设置外侧防焊层,所述外侧防焊层具有外侧开窗,部分所述外侧线路层于所述外侧开窗的底部露出,以及于所述外侧开窗内设置外露电子元件。8.一种封装结构,其特征在于,包括封装基板及导电屏蔽壳,所述封装基板包括第一基2CN116017964A权利要求书2/2页材层、内侧线路层及内埋电子元件,所述内侧线路层设置于所述第一基材层上,所述内埋电子元件设置于所述内侧线路层上,所述导电屏蔽壳包覆所述内埋电子元件。9.如权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括线路基板,所述线路基板包括第二基材层、外侧线路层以及导通体,所述第二基材层设置于所述导电屏蔽壳上,所述外侧线路层设置于所述第二基材层上,所述导通体贯穿所述第二基材层,所述导通体电性连接所述外侧线路层和所述导电屏蔽壳。10.如权利要求9所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括外露电子元件,所述外露电子元件设置于所述外侧线路层上。3CN116017964A说明书1/6页封装结构及封装结构的制造方法技术领域[0001]本申请涉及一种封装结构及封装结构的制造方法。背景技术[0002]系统级封装(SysteminPackage,SIP)是将多种