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一种半导体元件及其制备方法.pdf
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是你****岺呀
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本发明实施例公开了一种半导体元件及其制备方法。半导体元件中,外延层远离衬底的一侧包括沟槽;氧化层位于沟槽内;栅极多晶硅层和源极多晶硅层均内嵌于氧化层中,栅极多晶硅层和源极多晶硅层之间以该氧化层隔开,氧化层至少暴露栅极多晶硅层的远离衬底的表面;体区和源区均形成于外延层的远离衬底的一端中,体区和源区均位于栅极多晶硅层的左右两侧,相对于源区而言体区位于源区靠近衬底的一侧;源极电极位于体区远离衬底的一侧并与源区电连接;源极多晶硅层与源极电极电连接,源极多晶硅层的掺杂离子的类型与栅极多晶硅层的掺杂离子的类型相反;据
2023-05-24
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