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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031282A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202210593600.8H01L21/8234(2006.01)(22)申请日2022.05.27(30)优先权数据17/511,2312021.10.26US17/514,5072021.10.29US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人丘世仰(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师黄艳(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L27/088(2006.01)H01L21/82(2006.01)权利要求书3页说明书14页附图20页(54)发明名称半导体元件结构及其制备方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一基底、一第一井区、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一掺杂区以及一第一导电特征。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一井区位于该第一基底中。该第一井区具有一第一导电类型。该第一栅极结构设置在该第二表面上。该第二栅极结构设置在该第二表面上。该第一掺杂区具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型。该第一掺杂区经设置在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间。该第一导电特征在该第一基底的该第一表面和该第一掺杂区之间延伸。CN116031282ACN116031282A权利要求书1/3页1.一种半导体元件结构,包括:一第一基底,具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面;一第一井区,设置在该第一基底中,其中该第一井区具有一第一导电类型;一第一栅极结构,设置在该第二表面上;一第二栅极结构,设置在该第二表面上;一第一掺杂区,具有与该第一导电类型不同的一第二导电类型,其中该第一掺杂区设置在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间;以及一第一导电特征,在该第一基底的该第一表面和该第一掺杂区之间延伸。2.如权利要求1所述的半导体元件结构,更包括:一隔离特征,与该第一基底的该第二表面相邻,其中该第一掺杂区位于该隔离特征和该第一导电特征之间。3.如权利要求2所述的半导体元件结构,更包括:一导电结构,穿透该隔离特征并与该第一掺杂区接触。4.如权利要求3所述的半导体元件结构,其中该第一导电特征与该导电结构电性耦合。5.如权利要求1所述的半导体元件结构,更包括:一第二井区,设置在该第一基底中,并围绕该第一栅极结构和该第二栅极结构;以及一第三井区,设置在该第一基底中并与该第二井区接触,其中该第三井区与该第一导电特征接触,且该第二井区和该第三井区中的每一个都具有该第二导电类型。6.如权利要求5所述的半导体元件结构,更包括:一第二掺杂区,设置在该第三井区中,其中该第二掺杂区具有该第二导电类型。7.如权利要求6所述的半导体元件结构,更包括:一第二导电特征,在该第一基底的该第一表面和该第二掺杂区之间延伸。8.如权利要求7所述的半导体元件结构,其中该第一导电特征在一第一方向上的一第一长度大于该第二导电特征在该第一方向上的一第二长度。9.如权利要求7所述的半导体元件结构,其中该第二掺杂区与该第一导电特征接触。10.如权利要求7所述的半导体元件结构,其中该第二掺杂区与该第一导电特征间隔开。11.如权利要求1所述的半导体元件结构,更包括:一电路结构,设置在该第一基底的该第一表面上,其中该电路结构与该第一导电特征电性连接。12.如权利要求11所述的半导体元件结构,更包括:一电路板,键结到该电路结构上,其中该电路结构经设置在该电路板和该第一基底之间。13.如权利要求11所述的半导体元件结构,更包括:一第一介电质层,设置在该第一基底的该第一表面上;其中该电路结构包括一端子以与该第一导电特征接触,和一介电质结构以与该第一介电质层接触。14.一种半导体元件结构,包括:一基底,具有一主动表面和一背部表面;2CN116031282A权利要求书2/3页一第一井区,设置在该基底中,其中该第一井区具有一第一导电类型;一第一晶体管,与该基底的该主动表面相邻;一第二晶体管,与该基底的该主动表面相邻;一第一掺杂区,具有与该第一导电类型不同的一第二导电类型,其中该第一掺杂区设置在该第一井区和该第一晶体管与该第二晶体管之间;以及一电路结构,设置在该基底的该背部表面,其中该电路结构经设置以传输或提供与该第一掺杂区电性耦合的一电压。15.如权利要求14所述的半导体元件结构,更包括:一第一导电特征,从该基底的该背部表面曝露,其中该第一导电特征将该电路结构和该第一掺杂区电性连接。16.如权利要求15所述的半导体元件结构,更包括:一导电结构,从该基底的该主动表面延伸出,其中该导电结构与该第一掺杂区电性耦合。17.如权利要求16所述的半导体元件