半导体元件结构及其制备方法.pdf
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相关资料
半导体元件结构及其制备方法.pdf
本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一基底、一第一井区、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一掺杂区以及一第一导电特征。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一井区位于该第一基底中。该第一井区具有一第一导电类型。该第一栅极结构设置在该第二表面上。该第二栅极结构设置在该第二表面上。该第一掺杂区具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型。该第一掺杂区经设置在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间。该第一导电特征在该第一基底的该第一表面和该第一掺杂区之间延伸。
半导体元件及其制备方法.pdf
本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底;一下导电区,设置在该基底中;一第一栅极结构,设置在该基底上;一第一漏极区,设置在该基底中并邻近该第一栅极结构的一侧壁;以及一第一延伸导电区,设置在该基底中、在该第一漏极区下方、接触该第一漏极区的一下表面,以及远离该下导电区。该第一漏极区的一上表面以及该基底的一上表面大致为共面。该下导电区与该第一延伸导电区包括相同的电类型。该第一漏极区与该第一延伸导电区包括不同电类型。
具有插塞结构的半导体元件及其制备方法.pdf
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底;一插塞结构,包括设置在该基底上的一底部导电层、设置在该底部导电层上的一中间导电层、设置在该中间导电层上的一顶部导电层,以及覆盖该中间导电层的一侧壁并设置在该底部导电层和该顶部导电层之间的一绝缘覆盖层;以及设置在该基底上并围绕该插塞结构的一第一介电质层。该底部导电层的一宽度大于该中间导电层的一宽度。该顶部导电层的一宽度大于该中间导电层的该宽度。
半导体结构、半导体元件及其形成方法.pdf
本发明公开了一种半导体结构、半导体元件及其形成方法。半导体元件包含两个彼此横向连接的半导体结构,且各半导体结构包含半导体基板以及第一导电凸块。半导体基板具有集成电路以及互连金属层,其中斜角表面形成在半导体基板的边缘上。第一导电凸块经由互连金属层电性连接至集成电路,并位于斜角表面上,其中第一导电凸块的轮廓延伸超出半导体基板的边缘的侧表面。此两个半导体结构通过其相接合的第一导电凸块横向连接。本发明的半导体元件,能够建立与导电凸块的横向连接,以节省成本。
半导体元件及其制备方法.pdf
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一芯片,其包括:一第一中间介电层,位于一第一基板上;一插塞结构,位于该第一中间介电层中且电性耦合至该第一芯片的一功能单元;一第一重分布层,位于该第一中间介电层上且远离该插塞结构;一第一较低接合垫,位于该第一重分布层上;以及一第二较低接合垫,位于该插塞结构上。该半导体元件还包括位于该第一芯片上的一第二芯片,其包括:一第一较高接合垫,位于该第一较低接合垫上;一第二较高接合垫,位于该第二较低接合垫上;以及多个存储单元,电性耦合至该第一较高接合垫和该第二较