包含阶梯式结构的微电子装置和相关存储器装置、电子系统以及方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115918288A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202180042868.6(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(22)申请日2021.06.03责任公司11287专利代理师江泰維(30)优先权数据16/908,2872020.06.22US(51)Int.Cl.H10B41/20(2023.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H10B41/10(2023.01)2022.12.15H10B41/30(2023.01)(86)PCT国际申请的申请数据H10B41/50(2023.01)PCT/US2021/0357482021.06.03H10B43/10(2023.01)(87)PCT国际申请的公布数据H10B43/20(2023.01)WO2021/262415EN2021.12.30H10B43/30(2023.01)H10B43/50(2023.01)(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人罗双强I·V·恰雷J·B·德胡特权利要求书3页说明书17页附图24页(54)发明名称包含阶梯式结构的微电子装置和相关存储器装置、电子系统以及方法(57)摘要一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括按层布置的交替的导电结构和绝缘结构，所述层个别地包括所述导电结构中的一者和所述绝缘结构中的一者；第一支撑柱结构，其在所述微电子装置的第一区域内延伸穿过所述堆叠结构，所述第一支撑柱结构与下伏于所述堆叠结构的源极结构电隔离；第二支撑柱结构，其在所述微电子装置的第二区域内延伸穿过所述堆叠结构，所述第二支撑柱结构包括与所述源极结构电连通的导电材料；以及桥接结构，其在所述第一支撑柱结构中的至少一些相邻第一支撑柱结构之间延伸。还描述了相关存储器装置、电子系统以及方法。CN115918288ACN115918288A权利要求书1/3页1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括按层布置的交替的导电结构和绝缘结构，所述层个别地包括所述导电结构中的一者和所述绝缘结构中的一者；第一支撑柱结构，其在所述微电子装置的第一区域内延伸穿过所述堆叠结构，所述第一支撑柱结构与下伏于所述堆叠结构的源极结构电隔离；第二支撑柱结构，其在所述微电子装置的第二区域内延伸穿过所述堆叠结构，所述第二支撑柱结构包括与所述源极结构电连通的导电材料；以及桥接结构，其在所述第一支撑柱结构中的至少一些相邻第一支撑柱结构之间延伸。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述桥接结构中的至少一个桥接结构物理地将所述第一支撑柱结构中的一者连接到所述第一支撑柱结构中的另一者。3.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包括位于所述第一支撑柱结构中的所述两者之间并且与所述至少一个桥接结构接触的替换栅极槽。4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述替换栅极槽和所述第一支撑柱结构中的所述两者包括相同的材料成分。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述桥接结构通过衬里材料与所述源极结构电隔离。6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述桥接结构包括多晶硅。7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述桥接结构包括与所述源极结构接触的电介质衬里材料。8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一支撑柱结构中的至少一些位于阶梯式区域内。9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一支撑柱结构包括与所述桥接结构相同的材料成分。10.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电材料包括钨。11.一种存储器装置，其包括：堆叠结构，其包括层，所述层各自包括至少一个导电结构和与所述至少一个导电结构竖直相邻的至少一个绝缘结构；阶梯式结构，其具有包括所述层中的至少一些的水平末端的阶状物；源极结构，其下伏于所述堆叠结构；第一支撑柱结构，其竖直地延伸穿过所述阶梯式结构到达所述源极结构，所述第一支撑柱结构中的至少一者通过所述源极结构内的桥接结构耦合到所述第一支撑柱结构中的至少另一者；以及第二支撑柱结构，其包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构并且与所述源极结构电连通的导电材料。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述第二支撑柱结构位于所述阶梯式结构的水平边界之外。13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述第一支撑柱结构与所述源极结构电隔离。2CN115918288A权利要求书2/3页14.根据权利要求11所述的存储器装置，其进一步包括位于所述第一支撑柱结构中的所述至少一者与所述第一支撑柱结构中的所述至少另一者之间的槽结构。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述槽结构物理地接触所述桥接结构。16.根据权利要求11