形成图案的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111128690A(43)申请公布日2020.05.08(21)申请号201910284565.X(22)申请日2019.04.10(30)优先权数据62/752,3522018.10.30US16/260,1222019.01.29US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号(72)发明人欧阳盼盼(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270代理人康艳青姚开丽(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书15页附图36页(54)发明名称形成图案的方法(57)摘要一种形成图案的方法包括至少以下步骤。提供第一材料及邻接所述第一材料的第二材料。所述第一材料与所述第二材料具有不同的辐射吸收率。在所述第一材料及所述第二材料上形成阻挡层。以电磁辐射对所述阻挡层进行全局辐照以使所述阻挡层的一部分转变成交联部分。剩余的所述阻挡层形成非交联部分。所述非交联部分覆盖所述第二材料。移除所述阻挡层的所述非交联部分以暴露出所述第二材料。在被暴露的所述第二材料上形成第三材料。移除所述阻挡层的所述交联部分。CN111128690ACN111128690A权利要求书1/1页1.一种形成图案的方法，其特征在于，包括：提供第一材料及邻接所述第一材料的第二材料，其中所述第一材料与所述第二材料具有不同的辐射吸收率；在所述第一材料及所述第二材料上形成阻挡层；以电磁辐射对所述阻挡层进行全局辐照以使所述阻挡层的一部分转变成交联部分，其中剩余的所述阻挡层形成非交联部分，且所述非交联部分覆盖所述第二材料；移除所述阻挡层的所述非交联部分以暴露出所述第二材料；在被暴露的所述第二材料上形成第三材料；以及移除所述阻挡层的所述交联部分。2CN111128690A说明书1/15页形成图案的方法技术领域[0001]本发明实施例涉及一种形成图案的方法。更具体来说，本发明实施例涉及一种利用具有不同辐射吸收率的材料来形成图案的方法。背景技术[0002]各种电子装置(例如，手机及其他移动电子设备)中所使用的半导体器件及集成电路通常是在单个半导体晶片(wafer)上制造。晶片的管芯可以晶片级(waferlevel)来与其他半导体器件或管芯一起进行处理及封装，且已针对晶片级封装(waferlevelpackaging)开发了各种技术。举例来说，图案形成技术在晶片级封装中起着重要作用。如何确保图案的品质及工艺简易性已成为此领域中的挑战。发明内容[0003]一种形成图案的方法包括至少以下步骤。提供第一材料及邻接(abut)所述第一材料的第二材料。所述第一材料与所述第二材料具有不同的辐射吸收率。在所述第一材料及所述第二材料上形成阻挡层。以电磁辐射对所述阻挡层进行全局(globally)辐照以使所述阻挡层的一部分转变成交联部分。剩余的所述阻挡层形成非交联部分。所述非交联部分覆盖所述第二材料。移除所述阻挡层的所述非交联部分以暴露出所述第二材料。在被暴露的所述第二材料上形成第三材料。移除所述阻挡层的所述交联部分。附图说明[0004]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。[0005]图1A到图1F是根据本公开一些实施例的形成图案的方法的示意性剖视图。[0006]图2A到图2F是根据本公开一些替代实施例的形成图案的方法的示意性剖视图。[0007]图3A到图3D是根据本公开一些替代实施例的形成图案的方法的示意性剖视图。[0008]图4A到图4E是根据本公开一些替代实施例的形成图案的方法的示意性剖视图。[0009]图5A到图5E是根据本公开一些替代实施例的形成图案的方法的示意性剖视图。[0010]图6A到图6W是根据本公开一些实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。[0011]图7A到图7B是根据本公开一些替代实施例的封装的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。[0012]图8A到图8C是根据本公开一些替代实施例的封装的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。[0013]附图标号说明[0014]10：封装[0015]100、504、514、524：介电层3CN111128690A说明书2/15页[0016]200：导电结构[0017]300：管芯[0018]300a：后表面[0019]300b：前表面[0020]300c：有源表面[0021]310：半导体衬底[0022]320：导电接垫[0023]330：钝化层[0024]340：后钝化层[0025]350：金属柱[0026]360：保护层[0