形成微电子装置的方法及相关的微电子装置及电子系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115917740A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202180043138.8(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(22)申请日2021.05.20责任公司11287专利代理师江泰維(30)优先权数据16/905,6982020.06.18US(51)Int.Cl.H01L25/065(2023.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H10B43/27(2023.01)2022.12.16H10B43/40(2023.01)(86)PCT国际申请的申请数据H10B43/50(2023.01)PCT/US2021/0333612021.05.20H10B41/27(2023.01)(87)PCT国际申请的公布数据H10B41/41(2023.01)WO2021/257238EN2021.12.23H10B41/50(2023.01)H01L21/8234(2006.01)(71)申请人美光科技公司H10N97/00(2023.01)地址美国爱达荷州(72)发明人K·R·帕雷克权利要求书3页说明书21页附图12页(54)发明名称形成微电子装置的方法及相关的微电子装置及电子系统(57)摘要本发明提供一种形成微电子装置的方法，其包括：形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括底座结构、上覆于所述底座结构的掺杂半导体材料、上覆于所述掺杂半导体材料的堆叠结构、竖直地延伸穿过所述堆叠结构及所述掺杂半导体材料且延伸至所述底座结构中的单元柱结构以及竖直地上覆于所述堆叠结构的数字线结构。形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构。所述微电子装置结构附接至所述额外微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件。去除所述底座结构及竖直地延伸至所述底座结构中的所述单元柱结构的部分以暴露所述掺杂半导体材料。接着对所述掺杂半导体材料进行图案化以形成在所述堆叠结构上方且耦合至所述单元柱结构的至少一个源极结构。还描述了微电子装置及电子系统。CN115917740ACN115917740A权利要求书1/3页1.一种形成微电子装置的方法，其包括：形成微电子装置结构，其包括：底座结构；所述底座结构上方的掺杂半导体材料；堆叠结构，其上覆于所述掺杂半导体材料且包括导电结构及绝缘结构的竖直交替序列；单元柱结构，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构及所述掺杂半导体材料且延伸至所述底座结构中；以及数字线结构，其竖直地上覆于所述堆叠结构；形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构；将所述微电子装置结构附接至所述额外微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件，所述数字线结构在所述微电子装置结构组合件内竖直地插入于所述堆叠结构与所述控制逻辑装置之间；去除所述底座结构及竖直地延伸至所述底座结构中的所述单元柱结构的部分以暴露所述掺杂半导体材料；以及在去除所述底座结构及所述单元柱结构的所述部分之后对所述掺杂半导体材料进行图案化，以形成在所述堆叠结构上方且耦合至所述单元柱结构的至少一个源极结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成微电子装置结构包括：形成所述微电子装置结构以进一步包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构且延伸至所述掺杂半导体材料中的导电接触结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成微电子装置结构包括：在所述掺杂半导体材料上方形成初步堆叠结构，所述初步堆叠结构包括第一绝缘结构及第二绝缘结构的竖直交替序列；形成开口，所述开口竖直地延伸穿过所述初步堆叠结构及所述掺杂半导体材料且延伸至所述底座结构中；在所述开口内形成所述单元柱结构；形成延伸穿过所述初步堆叠结构的槽；使用所述槽来用所述导电结构至少部分地替换所述第二绝缘结构以形成所述堆叠结构，所述堆叠结构的所述绝缘结构包括所述第一绝缘结构的剩余部分；以及形成在所述单元柱结构上方且与其电连通的所述数字线结构。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中形成微电子装置结构包括形成所述微电子装置结构以进一步包括：所述数字线结构上的绝缘线结构；数字线接触结构，其延伸穿过所述绝缘线结构的部分且接触所述数字线结构；以及所述数字线接触结构上的导电衬垫结构。5.根据权利要求4所述的方法，其中形成额外微电子装置结构包括：形成所述微电子装置结构以进一步包括在所述控制逻辑装置上方的额外导电衬垫结构。6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述微电子装置结构附接至所述额外微电子装置结构包括：2CN115917740A权利要求书2/3页将所述微电子装置结构及所述额外微电子装置结构中的一者竖直反转；以及将所述微电子装置结构的所述导电衬垫结构接合至所述额外微电子装置结构的所述额外导电衬垫结构。7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中去除所述底座结构及竖直地延伸至所述底座结构中的