形成微电子装置的方法及用于微电子装置的相关基底结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115943493A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202180042864.8(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(22)申请日2021.05.20责任公司11287专利代理师赵子杰(30)优先权数据16/905,7342020.06.18US(51)Int.Cl.H01L25/065(2023.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H10B80/00(2023.01)2022.12.15H01L23/00(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H10B43/20(2023.01)PCT/US2021/0333252021.05.20H10B41/20(2023.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/257236EN2021.12.23(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人K·R·帕雷克权利要求书3页说明书20页附图15页(54)发明名称形成微电子装置的方法及用于微电子装置的相关基底结构(57)摘要一种形成微电子装置的方法包括：在基底材料的基本上整个外围周围形成源极材料；以及从所述基底材料的横向侧移除所述源极材料，同时在所述基底材料的上部表面及下部表面上维持所述源极材料。还描述用于微电子装置的相关方法及基底结构。CN115943493ACN115943493A权利要求书1/3页1.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在基底材料的基本上整个外围周围形成源极材料；以及从所述基底材料的横向侧移除所述源极材料，同时在所述基底材料的上部表面及下部表面上维持所述源极材料。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述基底材料的基本上所述整个外围周围形成所述源极材料之前在所述基底材料上形成蚀刻终止材料。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：选择所述基底材料以包括半导电材料；以及选择所述蚀刻终止材料以包括介电材料。4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：选择所述基底材料以包括硅；以及选择所述蚀刻终止材料以包括二氧化硅。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在从所述基底材料的所述横向侧移除所述源极材料之后在源极材料的剩余部分的横向侧上形成保护性材料。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述基底材料以包括以下各者中的一或多者：单晶硅、多晶硅、硅锗、锗、砷化镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、氮化铟镓及氮化铝镓。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述源极材料以包括经掺杂多晶硅。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述基底材料以包括陶瓷材料。9.根据权利要求8所述的方法，其中选择所述基底材料以包括陶瓷材料包括选择所述基底材料以包括聚氮化铝上硅。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述基底材料以包括玻璃材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中选择所述基底材料以包括玻璃材料包括选择所述基底材料以包括硼硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃、铝硅酸盐玻璃、碱土硼硅酸盐玻璃、石英、二氧化钛硅酸盐玻璃及钠钙玻璃中的一或多者。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其进一步包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述源极材料上的一系列竖直交错的导电结构与绝缘结构；在所述堆叠结构内形成竖直延伸的存储器单元串以形成第一微电子装置结构；将所述第一微电子装置结构附接到包括控制逻辑电路系统的第二微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件；在形成所述微电子装置结构组合件之后移除所述基底材料；以及在移除所述基底材料之后形成与所述源极材料电连通的电路系统。13.根据权利要求12所述的方法，其中移除所述基底材料包括研磨及湿式蚀刻所述基底材料中的一或多者。14.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在基底材料上形成经掺杂半导电材料；在所述经掺杂半导电材料上形成绝缘材料；在所述绝缘材料中形成开口且经由所述开口暴露所述经掺杂半导电材料；以及2CN115943493A权利要求书2/3页从所述经掺杂半导电材料外延地生长额外半导电材料以填充所述开口且覆盖所述绝缘材料。15.根据权利要求14所述的方法，其中在基底材料上形成经掺杂半导电材料包括形成所述经掺杂半导电材料以包括经掺杂的所述基底材料的半导电材料及分散于所述半导电材料内的一或多种掺杂物。16.根据权利要求14或权利要求15所述的方法，其进一步包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述额外半导电材料上的一系列竖直交错的导电结构与绝缘结构；在所述堆叠结构内形成竖直延伸的存储器单元串以形成第一微电子装置结构；将所述第一微电子装置结构耦合到包括控制逻辑电路系统的第二微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件；以及在形成所述微电子装置结