半导体器件、半导体封装件及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763422A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211057385.6H01L21/50(2006.01)(22)申请日2022.08.31(30)优先权数据10-2021-01176732021.09.03KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人朴点龙姜芸炳金炳赞宋乺智李忠善(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330专利代理师李娜邓思思(51)Int.Cl.H01L23/522(2006.01)H01L23/528(2006.01)H01L25/065(2023.01)权利要求书3页说明书13页附图22页(54)发明名称半导体器件、半导体封装件及其制造方法(57)摘要本申请提供了半导体器件、半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，其具有第一衬底、位于第一衬底上的第一绝缘层和位于第一绝缘层上的多个第一接合焊盘，并且具有由第一绝缘层的上表面和多个第一接合焊盘的上表面构成的平坦的上表面；以及第二半导体芯片，其位于第一半导体芯片的上表面，并且具有第二衬底、位于第二衬底下方并且与第一绝缘层接触的第二绝缘层和位于第二绝缘层上并且分别与第一接合焊盘接触的多个第二接合焊盘，其中，第一绝缘层包括与第二绝缘层接触、嵌入在第一绝缘层中并且与多个第一接合焊盘间隔开的绝缘界面层。CN115763422ACN115763422A权利要求书1/3页1.一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一衬底、位于所述第一衬底上的第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上的多个第一接合焊盘，并且所述第一半导体芯片具有由所述第一绝缘层的上表面和所述多个第一接合焊盘的上表面构成的平坦的上表面；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片的所述上表面上，并且具有第二衬底、位于所述第二衬底下方并且与所述第一绝缘层接触的第二绝缘层和位于所述第二绝缘层上并且分别与所述多个第一接合焊盘接触的多个第二接合焊盘，其中，所述第一绝缘层包括与所述第二绝缘层接触、嵌入在所述第一绝缘层中并且与所述多个第一接合焊盘间隔开的绝缘界面层。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述绝缘界面层与所述多个第一接合焊盘间隔开的距离在所述多个第一接合焊盘中的每一个第一接合焊盘的厚度的60％至100％的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述绝缘界面层包括氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氮化铝、氮氧化铝、氧化铝和碳氧化铝中的至少一种。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一者包括氧化硅。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片还包括：保护绝缘膜，所述保护绝缘膜位于所述第一衬底与所述第一绝缘层之间；贯通电极，所述贯通电极穿透所述第一衬底和所述第一绝缘层并且分别连接到所述多个第一接合焊盘；以及导电阻挡层和晶种层，所述导电阻挡层和所述晶种层位于所述保护绝缘膜上，以被定位在所述多个第一接合焊盘与所述贯通电极之间的区域中。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述导电阻挡层和所述晶种层向内与所述多个第一接合焊盘中的每一个第一接合焊盘的外周间隔开。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述导电阻挡层和所述晶种层中的每一者与所述多个第一接合焊盘中的每一个第一接合焊盘的外周间隔开的距离在所述多个第一接合焊盘中的每一个第一接合焊盘的宽度的1％至15％的范围内。8.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述导电阻挡层包括钛、氮化钛、钽和氮化钽中的至少一种，并且所述晶种层包括Cu。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第一接合焊盘中的每一个第一接合焊盘具有向上倾斜的侧表面。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片还包括位于所述多个第一接合焊盘中的每一个第一接合焊盘的侧表面上的覆盖阻挡膜。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述覆盖阻挡膜包括氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氮化铝、氮氧化铝、氧化铝和碳氧化铝中的至少一种。12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述覆盖阻挡膜的厚度在100nm至300nm的范围内。13.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述覆盖阻挡膜包括导电材料，并且2CN115763422A权利要求书2/3页其中，所述覆盖阻挡膜的一部分延伸到所述多个第一接合焊盘中的每一个第一接合焊盘的上表面。14.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，所述覆盖阻挡膜包括硅化铜、硅化钛、CuSiN、钴、钨、钯、金和镍中的至少一种。15.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述