半导体封装件及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031242A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202210867603.6(22)申请日2022.07.22(30)优先权数据10-2021-01427852021.10.25KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人姜政勋沈智慧李廷怰郑玄喆(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330专利代理师李娜王占杰(51)Int.Cl.H01L23/544(2006.01)权利要求书3页说明书15页附图21页(54)发明名称半导体封装件及其制造方法(57)摘要提供了半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括：下基板；下半导体芯片，安装在所述下基板上；下模制层，位于所述下基板上并且包围所述下半导体芯片；再分布层，位于所述下模制层上；以及垂直连接端子，围绕所述下半导体芯片并且将所述下基板连接到所述再分布层。所述下半导体芯片可以包括位于其顶表面处的识别标记。所述识别标记可以包括：具有凹雕形状的标记图案，位于所述下半导体芯片的所述顶表面处；以及模制图案，填充所述标记图案的内部空间。构成所述模制图案的第一材料可以与构成所述下模制层的第二材料相同。CN116031242ACN116031242A权利要求书1/3页1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：下基板；下半导体芯片，所述下半导体芯片位于所述下基板上；下模制层，所述下模制层位于所述下基板上并且包围所述下半导体芯片；再分布层，所述再分布层位于所述下模制层上；以及垂直连接端子，所述垂直连接端子围绕所述下半导体芯片，并且将所述下基板连接到所述再分布层，其中，所述下半导体芯片包括位于其顶表面处的识别标记，所述识别标记包括：标记图案，所述标记图案位于所述下半导体芯片的所述顶表面处并且具有凹雕形状，以及模制图案，所述模制图案填充所述标记图案的内部空间，并且构成所述模制图案的第一材料与构成所述下模制层的第二材料相同。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述模制图案的顶表面和所述下半导体芯片的所述顶表面是共面的。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述模制图案和所述下模制层包括环氧模制化合物。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述再分布层包括垂直地穿过其的第一开口；并且所述第一开口位于所述下半导体芯片上并且暴露所述识别标记。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中：所述再分布层包括：垂直地彼此堆叠的绝缘图案；以及互连图案，作为水平互连线分别位于所述绝缘图案中并且彼此电连接；并且所述第一开口的内侧表面具有包括多个台阶的阶梯形状，每个台阶由相应的所述绝缘图案限定。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述再分布层包括：绝缘图案；以及互连图案，所述互连图案位于所述绝缘图案中，用作水平互连线并且耦接到所述垂直连接端子；所述再分布层位于所述下模制层上，以完全覆盖所述下半导体芯片；并且所述绝缘图案包括透明材料。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，当在平面图中观察时，所述互连图案位于所述识别标记的外部。8.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述绝缘图案包括透明的光可成像电介质材料。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述下半导体芯片的所述顶表面与所述下模制层的顶表面共面。2CN116031242A权利要求书2/3页10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，构成所述模制图案的所述第一材料具有与所述下半导体芯片的所述顶表面不同的颜色。11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基板；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述基板上；模制层，所述模制层位于所述基板上并且包围所述半导体芯片；再分布层，所述再分布层位于所述模制层上；以及贯通电极，所述贯通电极围绕所述半导体芯片，所述贯通电极将所述基板连接到所述再分布层，其中，所述半导体芯片包括位于其顶表面处的识别标记，所述识别标记包括：标记图案，所述标记图案位于所述半导体芯片的所述顶表面处，所述标记图案的顶表面处于与所述半导体芯片的所述顶表面不同的水平高度处，以及模制图案，所述模制图案位于所述半导体芯片上并暴露所述标记图案，并且所述半导体芯片的最顶表面与所述模制图案的顶表面共面。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中：所述标记图案包括凹雕区域，所述凹雕区域从所述半导体芯片的所述顶表面朝向所述半导体芯片的内部凹陷；所述模制图案填充所述凹雕区域；并且所述半导体芯片的所述最顶表面处于与所述标记图案的所述顶表面相同的水平高度处。13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述标记图案包括从所述半导体芯片的所述顶表面突出的浮雕区域；所述模制图案位于所述半导体芯片的所述顶表面上以包围所述浮雕区域；并且所述半导