一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114078988A(43)申请公布日2022.02.22(21)申请号202010829939.4(22)申请日2020.08.18(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人翟峰许时渊(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人李发兵(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/48(2010.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图8页(54)发明名称一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片(57)摘要本发明涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片。通过晶粒胶层中的粘附胶实现红光外延层与绝缘基板的结合，实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。同时，在晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧设置有晶粒层，晶粒层由多个处于同一水平面的胶体晶粒形成。相较于纯粘附胶层，胶体晶粒能够提升晶粒胶层对激光能量的吸收率，从而提升激光对粘附胶的分解效率与分解的彻底程度。而且，晶粒层处于晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧，因此，晶粒胶层中首先被分解的会是靠近红光外延层的粘附胶，这就使得剥离绝缘基板时粘附在红光外延层上的粘附胶能得到快速彻底的分解，从而避免粘附胶残留在红光外延层上，提升了红光LED芯片的出光效果。CN114078988ACN114078988A权利要求书1/1页1.一种红光LED芯片制备方法，其特征在于，包括：在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层，所述晶粒胶层包括粘附胶及被所述粘附胶包覆的多个胶体晶粒，多个所述胶体晶粒处于同一水平面形成晶粒层，所述晶粒层位于所述晶粒胶层靠近所述红光外延层的一侧；利用所述晶粒胶层中的粘附胶将绝缘基板粘附在所述晶粒胶层上并去除所述生长基板，以将所述红光外延层从生长基板转移至所述绝缘基板；设置与所述红光外延层中半导体层电连接的电极；采用激光分解所述晶粒胶层中的粘附胶，以分离所述红光外延层与所述绝缘基板。2.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层包括：在置于生长基板的所述红光外延层上设置混晶胶，以形成包括一层胶体晶粒的晶粒层；所述混晶胶包括粘附胶以及分散在所述粘附胶中的胶体晶粒；在所述晶粒层上设置纯粘附胶形成纯胶层，所述晶粒层与所述纯胶层共同构成所述晶粒胶层。3.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述红光外延层中包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层之前，还包括：在所述第二半导体层上设置空穴分散层；所述在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层还包括：在所述空穴分散层上设置晶粒胶层。4.如权利要求3所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述空穴分散层包括氧化铟锡ITO层。5.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述胶体晶粒的粒径基于米氏散射原理以及所述激光的波长确定。6.如权利要求5所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层之前，还包括：基于米氏散射原理以及所述激光的波长确定胶体晶粒的粒径，所述粒径d＝αλ/mπ；所述d为粒径；所述α为无因次粒径参量，取值为大于等于5；所述λ为所述激光的波长；所述m为所述胶体晶粒材质的折射率；基于确定出的粒径制备胶体晶粒。7.如权利要求1-6任一项所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述采用激光分解所述晶粒胶层中的粘附胶包括：采用波长为266nm的激光分解所述晶粒胶层中的粘附胶。8.如权利要求1-6任一项所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述粘附胶为苯并环丁烯BCB胶。9.如权利要求1-6任一项所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述胶体晶粒的材质包括二氧化硅和聚苯乙烯中的任意一种。10.一种红光LED芯片，其特征在于，所述红光LED芯片采用如权利要求1-9任一项所述的红光LED芯片制备方法制得。2CN114078988A说明书1/10页一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片技术领域[0001]本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片。背景技术[0002]目前，LED高清显示方案中都离不开红光、绿光、蓝光LED芯片。这三种颜色的LED芯片最终的制备过程都是在蓝宝石衬底上进行的，制备完成后，需要采用激光分离LED芯片与蓝宝石衬底。该工艺过程对于蓝光或绿光LED芯片而言，成熟简单。但对于红光LED芯片而言，因为红光外延层实际上是通过BCB(苯并环丁烯)胶粘接在蓝宝石衬底上的，因此，剥离蓝