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AlGaInP红光LED芯片的研究与制作的中期报告
本次研究是以AlGaInP材料为基础，制作红光LED芯片。本报告旨在介绍中期实验进度及结果。
实验步骤：
1.材料制备：从市场上购买AlGaInP蓝光LED芯片，制作AlGaInP红光LED芯片所需的原材料、药品等。
2.清洗衬底：将衬底（n型GaNorsapphire）用丙酮、异丙醇、去离子水等化学药品清洗后，放入压力锅中进行超声波清洗，再用去离子水反复清洗干净。
3.生长外延层：采用金属有机气相外延（MOVPE）法，在衬底生长Al0.5Ga0.5As衬底层，然后是p区AlxGa1-xInP多量子阱（MQW），最后是n区AlxGa1-xInP，在外延过程中，加入氨气、磷化氢、氮气、三甲基铝、三甲基镓等气体。
4.制作电极：使用光刻技术制作电极图案，并通过真空蒸镀技术，在电极区域上镀上金属。
5.切割并测试芯片：使用钻石刃锯将衬底切割成多个LED芯片，并进行电学测试，包括电压、发光亮度、波长等参数。
实验结果：
1.成功制备出AlGaInP外延片，生长过程稳定，MQWs层数达到了设计要求。
2.通过光刻技术制作出了电极图案，并在电极区域上成功镀上金属。
3.制作出多个LED芯片，进行了电学测试，发现其发光亮度与波长均符合红光LED芯片的要求。在最佳工作电压下，芯片发光强度可达到50mcd。
下一步计划：
1.进一步优化外延生长工艺，提高MQW生长质量和层数。
2.优化电极布局，提高LED的发光效率。
3.增加样品数量，进行更加详细的测试和分析。