一种LED芯片及LED芯片的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112670382A(43)申请公布日2021.04.16(21)申请号202011533294.6(22)申请日2020.12.23(71)申请人天津三安光电有限公司地址300384天津市西青区华苑产业区海泰南道20号(72)发明人沈午祺张阳阳张君逸潘冠甫王笃祥(74)专利代理机构北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)11479代理人高园园(51)Int.Cl.H01L33/22(2010.01)H01L33/40(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称一种LED芯片及LED芯片的制备方法(57)摘要本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；阻挡层，位于外延层的上方且完全覆盖外延层的上表面。由此，本发明能够在芯片粗化过程中对芯片的正面进行保护，同时避免在现有技术中为了保护芯片正面在芯片表面沉积氮化硅，采用化学液去除氮化硅时残留的一些化学键对芯片焊线效果产生的不良影响。CN112670382ACN112670382A权利要求书1/2页1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于所述衬底的所述第一表面上，且所述外延层在所述衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；阻挡层，位于所述外延层的上方且覆盖所述外延层的上表面。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述阻挡层为至少一层金属层，所述金属层形成为所述LED芯片的第一电极。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述阻挡层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖所述外延层的上表面，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述第一金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。6.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述第二金属层的材料为Au或Pt中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层的所述第二半导体层与所述阻挡层之间设置有透明导电层。8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为导电衬底。9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，还包括：第二电极，设置于所述导电衬底的所述第二表面上。10.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；在所述衬底的第一表面上形成外延层，所述外延层包括依次形成在所述第一表面上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；图形化所述外延层，形成相互间隔的台面结构，相邻的台面结构之间形成切割区；在所述台面结构上方形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述台面结构的上表面；对所述台面结构的侧壁进行粗化处理。11.根据权利要求10所述LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述台面结构上方形成阻挡层包括：在所述台面结构上方形成至少一层金属层，所述阻挡层形成所述LED芯片的第一电极。12.根据权利要求11所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。13.根据权利要求10所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述台面结构上方形成阻挡层包括：在所述台面结构上方形成覆盖所述台面结构上表面的第一金属层，在所述第一金属层上形成覆盖所述第一金属层的第二金属层。14.根据权利要求13所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。15.根据权利要求13所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二金属层的材料为2CN112670382A权利要求书2/2页Au、或Pt中的一种或多种。16.根据权利要求10所述LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述台面结构上方形成阻挡层之前，还包括：在所述外延层的所述第二半导体层的上方形成透明导电层。17.根据权利要求10所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底为导电衬底。18.根据权利要求17所述LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：在所述导电衬底的所述第二表面上形成第二电极。19.根据权利要求10所述LED芯片的制备方法，其特征在