一种红光LED芯片及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112968080A(43)申请公布日2021.06.15(21)申请号202010830380.7(22)申请日2020.08.18(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人翟峰唐彪(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人李发兵(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/44(2010.01)权利要求书1页说明书9页附图5页(54)发明名称一种红光LED芯片及制备方法(57)摘要本发明涉及一种红光LED芯片及制备方法，制备红光LED芯片的过程中，通过在红光外延层上设置第一氮化镓膜层，在绝缘基板上设置第二氮化镓膜层，利用第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层间的键合形成键合层，进而通过键合层将红光外延层与绝缘基板结合在一起，实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。后续过程中，在绝缘基板上制备好红光LED芯片后，可以直接采用激光分解氮化镓材质的键合层。由于氮化镓对激光的吸收率高，在激光的作用下可以基本被完全分解，避免了在红光LED芯片留下BCB残胶的问题，因此可以提升红光LED芯片与蓝宝石衬底的剥离效果，维护了红光LED芯片的品质与显示效果。CN112968080ACN112968080A权利要求书1/1页1.一种红光LED芯片制备方法，其特征在于，包括：在置于生长基板的红光外延层上设置第一氮化镓膜层，并在绝缘基板上设置第二氮化镓膜层，所述红光外延层为用于制备红光LED芯片的外延层；将所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层键合形成键合层并去除所述生长基板，以将所述红光外延层从生长基板转移至所述绝缘基板；设置与所述红光外延层中半导体层电连接的电极；激光分解所述键合层，以实现红光LED芯片与所述绝缘基板的分离。2.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述将所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层键合形成键合层包括：将所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层在真空条件下进行键合形成键合层。3.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述将所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层键合形成键合层包括：将所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层在10℃-40℃的室温条件下进行键合形成键合层。4.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述将所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层键合形成键合层之前，还包括：对所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层进行氩Ar等离子体活化。5.如权利要求1-4任一项所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述红光外延层中包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述在置于生长基板的红光外延层上设置第一氮化镓膜层之前还包括：在所述第二半导体层上设置空穴分散层；所述在置于生长基板的红光外延层上设置第一氮化镓膜层包括：在所述空穴分散层上设置第一氮化镓膜层。6.如权利要求5所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述空穴分散层包括氧化铟锡ITO层。7.如权利要求1-4任一项所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层的厚度均介于10nm-100nm之间。8.如权利要求1-4任一项所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述将所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层键合形成键合层之前，还包括：对所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层的表面进行粗化处理，使得所述第一氮化镓膜层与所述第二氮化镓膜层的表面粗糙度处于5nm-20nm间。9.如权利要求1-4任一项所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述激光分解所述键合层包括：采用波长为266nm的激光分解所述键合层。10.一种红光LED芯片，其特征在于，所述红光LED芯片采用如权利要求1-9任一项所述的红光LED芯片制备方法制得。2CN112968080A说明书1/9页一种红光LED芯片及制备方法技术领域[0001]本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种红光LED芯片及制备方法。背景技术[0002]目前，LED高清显示方案中都离不开红光、绿光、蓝光LED芯片。这三种颜色的LED芯片最终的制备过程都是在蓝宝石衬底上进行的，制备完成后，需要采用激光分离LED芯片与蓝宝石衬底。该工艺过程对于蓝光或绿光LED芯片而言，成熟简单。但对于红光LED芯片而言，因为红光外延层实际上是通过BCB(苯并环丁烯)胶粘接在蓝宝石衬底上的，因此，剥离蓝宝石衬底实际上就是通过分解BCB胶层从而解除其对红光LED芯片与蓝宝石衬底的粘接结合，但因为BCB胶对激光的吸收较差，所以，该过程中纯粹是靠物理冲击作用使BCB胶发生碳化