用于ICMOS耦合的光锥支架、耦合后的ICMOS及耦合方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115767300A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211443528.7(22)申请日2022.11.18(71)申请人北方夜视技术股份有限公司地址650217云南省昆明市经开区红外路5号(72)发明人李亚情张新左加宁赵恒邓长宝王玲燕邱永生李晓露马锦雅(74)专利代理机构昆明今威专利商标代理有限公司53115专利代理师赛晓刚(51)Int.Cl.H04N25/76(2023.01)B05D3/02(2006.01)H04N25/77(2023.01)权利要求书2页说明书4页附图4页(54)发明名称用于ICMOS耦合的光锥支架、耦合后的ICMOS及耦合方法(57)摘要本发明公开了一种用于ICMOS耦合的光锥支架、耦合后的ICMOS及耦合方法。光锥支架的上部有用于和光锥上对应的凹槽进行过渡配合的锲型凸台，其上表面和像增强器盖板的下表面胶接；下部的框套结构用于和位于带感光芯片电路板上的芯片陶瓷框进行过渡配合，光锥支架的下表面和所述芯片陶瓷框的上表面胶接。耦合后的ICMOS包括光锥型像增强器、环氧树脂胶、光锥支架、带感光芯片电路板以及耦合液；光锥型像增强器的阳极输出面具有光锥的锥形状，锥面大小和将与其耦合的带感光芯片电路板上的芯片感光面一致；环氧树脂胶用于光锥支架上表面和像增强器盖板的下表面、光锥支架下表面和芯片陶瓷框面的胶接。本发明避免了增加光锥支架带的光损耗及干扰问题。CN115767300ACN115767300A权利要求书1/2页1.一种用于增强型微光相机ICMOS耦合的光锥支架，其特征在于，所述光锥支架(3)由上下两部分构成；所述光锥支架(3)的上部有数个锲型凸台(31)，该锲型凸台(31)用于和光锥上对应的凹槽进行过渡配合，光锥支架(3)的上表面和像增强器盖板(12)的下表面胶接；所述光锥支架(3)下部为框套结构，用于和位于带感光芯片电路板(4)上的芯片陶瓷框(41)进行过渡配合，光锥支架(3)的下表面和所述芯片陶瓷框(41)的上表面胶接。2.一种耦合后的增强型微光相机ICMOS，其特征在于，包括如权利要求1所述的用于增强型微光相机ICMOS耦合的光锥支架，所述耦合后的增强型微光相机ICMOS包括光锥型像增强器(1)、环氧树脂胶(2)、光锥支架(3)、带感光芯片电路板(4)以及耦合液；所述光锥型像增强器(1)的阳极输出面具有光锥(11)的锥形状，锥面大小和将与其耦合的带感光芯片电路板(4)上的芯片感光面一致，并且伸出像增强器盖板(12)一段距离；所述环氧树脂胶(2)用于光锥支架(3)上表面和像增强器盖板(12)的下表面、光锥支架(3)下表面和芯片陶瓷框(41)面的胶接。3.根据权利要求2所述的耦合后的增强型微光相机ICMOS，其特征在于，所述带感光芯片电路板(4)为已去除芯片玻璃窗，去窗后其芯片感光面到所述芯片陶瓷框(41)的上表面距离不大于1mm。4.根据权利要求2所述的耦合后的增强型微光相机ICMOS，其特征在于，所述芯片陶瓷框(41)的上表面平面度不大于0.8mm。5.根据权利要求2所述的耦合后的增强型微光相机ICMOS，其特征在于，耦合时光锥(11)的阳极输出面和芯片感光面之间滴一小滴耦合液，然后将两个面自然贴合。6.根据权利要求2‑5任一项所述的耦合后的增强型微光相机ICMOS，其特征在于，所述光锥型像增强器(1)的阳极输出面原柱状结构的二或四对面均削掉一个锲型，使其呈锥形状。7.一种如权利要求2‑6任一项所述的一种耦合后的增强型微光相机ICMOS的耦合方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，耦合之前要将光锥支架(3)清洗并烘干，需用棉签蘸酒精对光锥(11)阳极输出面和芯片感光面擦拭清洁，配置好环氧树脂胶和耦合液；第二步，观察到环氧树脂胶稠度适当时，将胶分别均匀地涂抹在像增强器盖板(12)的下表面和光锥支架(3)的上表面，把光锥(11)阳极输出面朝上的(倒置)放好后将光锥支架(3)的上表面朝着增强器盖板(12)下表面慢慢按入，同时注意光锥支架(3)的锲型凸台(31)和光锥(11)侧边对应凹槽进行配合，适当微调，使其能够过渡配合；第三步，在配合好部件上加上适当的配重，并将其一并送入烤箱中加热，使环氧树脂胶快速固化；第四步，待上述部件固化粘合后，将其从烤箱中取出，在带感光芯片电路板(4)的芯片陶瓷框(41)的上表面和光锥支架(3)的下表面分别均匀地涂抹稠度适当的环氧树脂胶，然后在芯片感光面上滴一小滴耦合液，接着将光锥支架(3)慢慢套到芯片陶瓷框(41)上，并轻轻微旋调整，使光锥(11)阳极输出面和芯片感光面自然贴合；第五步，在刚耦合上的部件上加适当的配重，并将其一并送入烤箱中加热，使环氧树脂胶快速固化；第六步，待耦合上的部件固