一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置及边耦合腔测量方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112763795A(43)申请公布日2021.05.07(21)申请号202011618129.0(22)申请日2020.12.30(71)申请人中国原子能科学研究院地址102413北京市房山区新镇三强路1号院(72)发明人杨誉杨京鹤(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人张成新(51)Int.Cl.G01R23/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置及边耦合腔测量方法(57)摘要本发明公开了一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置，包括：网络分析仪、测量部和电缆。其中，所述测量部包括主体和同轴线；所述主体为形成有凹槽的铜管；所述同轴线的一端设有磁耦合环；所述同轴线位于所述主体中，且所述磁耦合环位于所述凹槽中；所述同轴线的另一端设有同轴射频接头；所述同轴射频接头通过所述电缆与所述网络分析仪连接。本发明的技术方案通过主体上的凹槽以及位于凹槽中的磁耦合环，既可以实现将待测边耦合腔两侧的加速腔完全短路，又可以为微波信号的激励和接收装置留出了空间，从而可以准确地获取边耦合腔的测试结果。CN112763795ACN112763795A权利要求书1/2页1.一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置，其特征在于，包括：网络分析仪(210)；测量部(230)；和电缆(250)；其中，所述测量部(230)包括主体(232)和同轴线(236)；所述主体(232)为形成有凹槽(238)的铜管；所述同轴线(236)的一端设有磁耦合环(237)；所述同轴线(236)位于所述主体(232)中，且所述磁耦合环(237)位于所述凹槽(238)中；所述同轴线(236)的另一端设有同轴射频接头；所述同轴射频接头通过所述电缆(250)与所述网络分析仪(210)连接。2.根据权利要求1所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述测量部(230)还包括介质(234)；所述介质(234)位于所述主体(232)中；所述同轴线(236)固定于所述介质(234)中。3.根据权利要求2所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述介质(234)采用聚四氟乙烯。4.根据权利要求2所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述主体(232)包括第一延伸部(2320)、第二延伸部(2322)和第三延伸部(2324)；所述第三延伸部(2324)位于所述第一延伸部(2320)和所述第二延伸部(2322)之间并将所述第一延伸部(2320)和所述第二延伸部(2322)连接；所述凹槽(238)位于所述第一延伸部(2320)和所述第二延伸部(2322)之间对应于所述第三延伸部(2324)。5.根据权利要求4所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述第一延伸部(2320)包括与所述第二延伸部(2322)相邻的第一轴向端面(23201)；所述第二延伸部(2322)包括与所述第一延伸部(2320)相邻的第二轴向端面(23220)；所述凹槽(238)位于所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)之间。6.根据权利要求5所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述第三延伸部(2324)包括弧面(23240)和与所述弧面(23240)连接的顶平面(23242)；所述弧面(23240)与所述第一延伸部(2320)的外表面和所述第二延伸部(2322)的外表面位于相同的圆周面上；所述顶平面(23242)位于所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)之间，并分别与所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)连接；所述凹槽(238)由所述顶平面(23242)、所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)所围成。7.根据权利要求6所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述顶平面(23242)垂直于所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)。8.根据权利要求6所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述第三延伸部(2324)还包括自所述顶平面(23242)向所述第三延伸部(2324)的内部凹陷的沟槽(23246)；所述磁耦合环(237)位于所述凹槽(238)中并位于所述沟槽(23246)的上方或内部。9.根据权利要求4所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述介质(234)填充在所述第一延伸部(2320)和所述第二延伸部(2322)内；所述同轴线(236)穿设在位于所述第一延伸部(2320)中的所述介质(234)内。10.根据权利要求9所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：位于所述第一延伸部2CN112763795A权利要求书2/2页(2320)中的所述介质(234)内形成由通孔(39