半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体器件.pdf
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相关资料
半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体器件.pdf
本发明涉及半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体器件。半导体芯片包括:多个焊盘;输入电路或者输出电路,该输入电路或者输出电路被电气连接至焊盘;主控制单元,该主控制单元输出读取访问信号,读取访问信号控制来自于外部电路或者内部电路的信号的读取;以及激活控制单元,该激活控制单元基于读取访问信号来控制被电气连接至焊盘的输入电路或者输出电路的激活,焊盘接收来自于外部电路或者内部电路的信号。
半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装.pdf
本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装,该半导体器件包括:发光结构,发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层,有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;第二导电半导体层具有范围为1:1.25至1:100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率,第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离,第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离;第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面;第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点;并且
半导体芯片及其制备方法和半导体器件.pdf
本发明提供了半导体芯片及其制备方法和半导体器件,该方法包括:提供晶圆,所述晶圆上具有多个间隔分布的芯片,相邻的所述芯片之间设有划片道,所述划片道中设有至少一个用于晶圆允收测试的待测器件;对所述晶圆进行所述晶圆允收测试;在经过所述晶圆允收测试的所述晶圆上形成保护膜层。该方法中,先进行WAT测试然后再形成保护膜层,避免了相关技术中保护膜层残留对测试准确度和稳定性的影响,大大提高了制造效率和良品率,且对测试探针的磨损显著降低,测试成本有效降低。
半导体器件和包括半导体器件的半导体封装.pdf
半导体器件可以包括:衬底、位于衬底的底表面上的第一绝缘层、在第一绝缘层中的互连结构、在第一绝缘层的底表面上的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层中的多个下焊盘。每个下焊盘可以设置为使得其顶表面的宽度小于其底表面的宽度。下焊盘可以包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘。在平面图中,第一下焊盘和第三下焊盘可以分别与衬底的中心部分和边缘部分相邻,而第二下焊盘可以设置在其间。第二下焊盘的底表面的宽度可以小于第一下焊盘的底表面的宽度并且可以大于第三下焊盘的底表面的宽度。
半导体芯片的制造方法及半导体芯片.pdf
本发明公开了半导体芯片的制造方法,包括如下步骤:在半导体基片上生长硬掩模介质层,所述半导体基片包括浓掺杂的衬底和轻掺杂的外延层,衬底和外延层的掺杂类型为N型;以硬掩模介质层为阻挡层,采用光刻、刻蚀工艺,在半导体基片上形成沟槽;去除所述硬掩模介质层,生长第一氧化硅、氮化硅以及第二氧化硅;采用化学机械研磨工艺,去除高出所述氮化硅上表面的第二氧化硅,保留所述沟槽中的第二氧化硅;采用离子注入、退火工艺,在所述外延层之中形成第一P型掺杂区和第二P型掺杂区;本发明提供半导体芯片,本发明公开的半导体芯片的制造方法及半导