半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763652A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211246735.3(51)Int.Cl.(22)申请日2017.09.13H01L33/02(2010.01)H01L33/04(2010.01)(30)优先权数据H01L33/10(2010.01)10-2016-01182432016.09.13KRH01L33/14(2010.01)10-2016-01404662016.10.26KRH01L33/36(2010.01)10-2017-01158362017.09.11KRH01L33/44(2010.01)(62)分案原申请数据H01L33/48(2010.01)201780056302.22017.09.13(71)申请人苏州立琻半导体有限公司地址215499江苏省苏州市太仓市常胜北路168号(72)发明人崔洛俊金炳祚吴炫智丁星好(74)专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙)32502专利代理师李洋李丹权利要求书3页说明书30页附图31页(54)发明名称半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装(57)摘要本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。CN115763652ACN115763652A权利要求书1/3页1.一种半导体器件，包括：发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层；第二半导体层；以及含铝并且设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；其中当初级离子轰击所述发光结构而从所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层溅射出包含铝的二次离子时，沿着所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层的厚度方向产生相应强度的包含铝的二次离子；第一强度位置，在所述第二半导体层中展示最大强度，其强度为第一强度；第三强度位置，在所述发光结构的整个区域中展示最小强度，其强度为第三强度；第四强度位置，在所述第一半导体层中展示最小强度，其强度为第四强度；第二强度位置，位于与所述第一强度分开的位置处，且为在所述第一强度与所述第四强度之间的区域中的最大峰值强度的位置，其强度为第二强度；其中，所述第一强度位置与所述第三强度位置在第一方向上分开，所述第二强度位置与所述第一强度位置在所述第一方向上分开；其中，所述第二半导体层包括第二区域，所述第二区域包括介于所述第一强度和所述第三强度之间的二次离子强度；其中，所述发光结构还包括第三区域，所述第三区域包括介于所述第一强度和所述第二强度之间的二次离子强度；所述有源层设置在所述第三区域内；其中，所述第一方向为所述发光结构的厚度方向，且为从所述第二半导体层至所述第一半导体层的方向；其中，所述第二强度和所述第四强度之间的第一强度差小于所述第一强度和所述第三强度之间的第二强度差。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体层包括P型半导体层和电子阻挡层，所述第一半导体层为N型半导体层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第一差值与第二差值的比率的范围为1：1.2至1：10，所述第一差值为所述电子阻挡层的平均铝成分和第一点的铝成分之间的差值，所述第二差值为所述电子阻挡层的所述平均铝成分和第二点的铝成分之间的差值，所述第一点是所述第二半导体层的铝成分与所述有源层的最靠近所述第二半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且所述第二点是所述第二半导体层具有与所述铝成分相同的掺杂剂成分的点。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述P型半导体层至少包括2‑1导电半导体层、2‑2导电半导体层；所述2‑1导电半导体层的铝成分低于所述2‑2导电半导体层的铝成分，所述2‑1导电半导体层、所述2‑2导电半导体层均由AlGaN制成。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述P型半导体层包括铝组成随远离所述有源层而以一斜率渐小的半导体层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包括第一区域，所述第一区域包括介于所述第二强度和所述第四强度之间的二次离子强度。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述电子阻挡层具有50％至90％的铝成2CN115763