半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775720A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202111051957.5(22)申请日2021.09.08(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人邱少稳(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图1页(54)发明名称半导体结构及其制作方法、存储器(57)摘要本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器，半导体结构至少可以包括：依次设置的两层光刻层，每一所述光刻层包括功能图案和套刻标记，所述光刻层包括第一光刻层和第二光刻层，所述第一光刻层包括第一功能图案和第一套刻标记，所述第二光刻层包括第二功能图案和第二套刻标记；至少一层阻拦层，所述阻拦层位于所述第一功能图案与所述第二功能图案之间，在所述光刻层的堆叠方向上，所述第一功能图案与所述第二功能图案之间的垂直距离大于所述第一套刻标记与所述第二套刻标记之间的垂直间距。本申请实施例有利于提升半导体结构及存储器的电学性能。CN115775720ACN115775720A权利要求书1/2页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：依次设置的两层光刻层，每一所述光刻层包括功能图案和套刻标记，所述光刻层包括第一光刻层和第二光刻层，所述第一光刻层包括第一功能图案和第一套刻标记，所述第二光刻层包括第二功能图案和第二套刻标记；至少一层阻拦层，所述阻拦层位于所述第一功能图案与所述第二功能图案之间，在所述光刻层的堆叠方向上，所述第一功能图案与所述第二功能图案之间的垂直距离大于所述第一套刻标记与所述第二套刻标记之间的垂直间距。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括功能区和切割道，所述切割道位于相邻所述功能区之间，所述功能图案和所述阻拦层设置于所述功能区内。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述套刻标记位于所述切割道内。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包含所述阻拦层的一体结构还位于所述第一光刻层内、所述第二光刻层内、所述第一光刻层下方或所述第二光刻层上方中的至少一个位置。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述功能图案和所述套刻标记由阵列排布的凸起结构组成；所述半导体结构还包括：填充部，所述填充部填充于相邻所述凸起结构之间，所述阻拦层与所述填充部为一体结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起结构包括线条或凸块。7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述功能图案和所述套刻标记由阵列排布的空穴结构组成；所述半导体结构还包括：填充部，所述填充层填充于所述空穴结构内，所述阻拦层与所述填充部为一体结构。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述空穴结构包括间隙或孔洞。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻拦层的材料包括导电材料。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述导电材料包括钨。11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能图案包括沿第一方向排列的周期性光栅结构，所述套刻标记至少包括沿所述第一方向排列的另一周期性光栅结构。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述套刻标记还包括沿第二方向排列的周期性光栅结构，所述第二方向垂直于所述第一方向。13.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至12中任一项所述的半导体结构。14.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：形成两层光刻层以及至少一层阻拦层，每一所述光刻层包括功能图案和套刻标记，所述光刻层包括第一光刻层和第二光刻层，所述第一光刻层包括第一功能图案和第一套刻标记，所述第二光刻层包括第二功能图案和第二套刻标记；至少一层阻拦层，所述阻拦层位于所述第一功能图案与所述第二功能图案之间，在所述光刻层的堆叠方向上，所述第一功能图案与所述第二功能图案之间的垂直距离大于所述第一套刻标记与所述第二套刻标记之间的垂直间距。15.根据权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构包括功能区和切割道，所述切割道位于相邻所述功能区之间；形成所述阻拦层和所述第二光刻2CN115775720A权利要求书2/2页层的工艺步骤包括：在形成所述第一光刻层之后，遮盖所述切割道并暴露所述功能区；形成所述阻拦层，所述阻拦层位于所述功能区且位于所述第一功能图案上；形成所述第二光刻层，所述第二光刻层覆盖所述阻拦层的顶面以及覆盖所述第一光刻层的所述切割道顶面。3CN115775720A