半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115996567A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202211139824.8(22)申请日2022.09.19(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人张书浩李宁(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师王花丽王黎延(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)G11C7/18(2006.01)G11C8/12(2006.01)权利要求书3页说明书15页附图12页(54)发明名称半导体结构及其制作方法、存储器(57)摘要本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，半导体结构包括：多个有源区，沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布且被隔离结构间隔开；位线选择结构，包括位于相互相邻的四个有源区上的第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极，以及位于隔离结构上的至少一条连接线；第一栅极的一个端部与第二栅极的一个端部连接，第三栅极的一个端部与第四栅极的一个端部连接，连接线连接第一栅极和第三栅极对应的两个端部和/或所述第二栅极和第四栅极对应的两个端部；多个接触结构；每一接触结构位于一栅极的两侧中靠近连接线的一侧且与一有源区连接，接触结构在有源区所在平面的正投影处于相应有源区中靠近连接线的位置处。CN115996567ACN115996567A权利要求书1/3页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个有源区，沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布且被隔离结构间隔开；所述第一方向与所述有源区延伸的方向平行；位线选择结构，包括均沿所述第二方向延伸且分别位于所述多个有源区中相互相邻的四个有源区上的第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极，以及沿所述第一方向延伸且位于所述隔离结构上的至少一条连接线；所述第一栅极的一个端部与第二栅极的一个端部连接，所述第三栅极的一个端部与第四栅极的一个端部连接，所述连接线连接所述第一栅极和所述第三栅极对应的两个端部和/或所述第二栅极和所述第四栅极对应的两个端部；多个接触结构；每一所述接触结构位于一栅极的两侧中靠近所述连接线的一侧且与一所述有源区连接，所述接触结构在所述有源区所在平面的正投影处于相应所述有源区中靠近所述连接线的位置处。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相互相邻的所述四个有源区包括第一有源区、第二有源区、第三有源区及第四有源区，所述第一栅极位于所述第一有源区上，所述第二栅极位于所述第二有源区上，所述第三栅极位于所述第三有源区上，所述第四栅极位于所述第四有源区上；所述多个接触结构包括第一接触结构、第二接触结构、第三接触结构及第四接触结构，所述第一接触结构位于所述第一栅极的一侧且与所述第一有源区连接，所述第二接触结构位于所述第二栅极的一侧且与所述第二有源区连接，所述第三接触结构位于所述第三栅极的一侧且与所述第三有源区连接，所述第四接触结构位于所述第四栅极的一侧且与所述第四有源区连接。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择结构包括一条连接线，所述连接线连接所述第一栅极与所述第二栅极的相连端部及所述第三栅极与所述第四栅极的相连端部；所述第一接触结构和所述第三接触结构均处于所述连接线的一侧且沿所述第二方向靠近所述连接线的位置处，所述第二接触结构和所述第四接触结构均处于所述连接线的另一侧且沿所述第二方向靠近所述连接线的位置处。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择结构还包括：位线选择线接触和位线选择线；所述位线选择线接触的一端和所述第一栅极与所述第二栅极的相连端部或者所述第三栅极与所述第四栅极的相连端部连接，另一端与位线选择线连接。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择结构包括两条连接线，其中，所述两条连接线中的第一连接线分别连接所述第一栅极的未与所述第二栅极连接的端部和所述第三栅极的未与所述第四栅极连接的端部，所述两条连接线中的第二连接线连接所述第二栅极的未与所述第一栅极连接的端部和所述第四栅极的未与所述第三栅极连接的端部；所述第一接触结构和所述第三接触结构均处于所述第一连接线的一侧且沿所述第二方向靠近所述第一连接线的位置处，所述第二接触结构和所述第四接触结构均处于所述第二连接线的一侧且沿所述第二方向靠近所述第二连接线的位置处。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择结构还包括：位线选择线接触结构和位线选择线；所述位线选择线接触结构的一端与所述第一连接线的中部或2CN115996567A权利要求书2/3页者所述第二连接线的中部连接，另一端与位线选择线连接。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位