半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115843184A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202111022542.5(22)申请日2021.09.01(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号申请人北京超弦存储器研究院(72)发明人王晓光曾定桂李辉辉曹堪宇(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H10B61/00(2023.01)H10N50/10(2023.01)H10N50/01(2023.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称半导体结构及其制作方法、存储器(57)摘要本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器，半导体结构至少可以包括：多个交错排布的晶体管，所述晶体管共用同一源极板，所述晶体管的沟道位于所述源极板上且所述晶体管的沟道长度方向垂直于所述源极板表面，其中，所述沟道的材料包括氧化物半导体；多个漏极接触件，与所述晶体管的漏极电连接，奇数个所述晶体管共用同一所述漏极接触件，共用同一所述漏极接触件的所述晶体管由同一条字线驱动；多个磁隧道结，位于所述漏极接触件上，所述磁隧道结与所述漏极接触件一一对应电连接。本申请实施例提供了一种新的半导体结构。CN115843184ACN115843184A权利要求书1/2页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个交错排布的晶体管，所述晶体管共用同一源极板，所述晶体管的沟道位于所述源极板上且所述晶体管的沟道长度方向垂直于所述源极板表面，其中，所述沟道的材料包括氧化物半导体；多个漏极接触件，与所述晶体管的漏极电连接，奇数个所述晶体管共用同一所述漏极接触件，共用同一所述漏极接触件的所述晶体管由同一条字线驱动；多个磁隧道结，位于所述漏极接触件上，所述磁隧道结与所述漏极接触件一一对应电连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化物半导体包括氧化铟镓锌。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管还包括栅介质层，所述栅介质层位于所述字线与所述沟道之间且环绕所述沟道，所述栅介质层的材料包括HfO2、ZrO2或HfON中的至少一种。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述源极板表面的方向上，所述栅介质层的厚度大于所述沟道的厚度和所述字线的厚度。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的底部与所述源极板表面直接接触。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管呈交错的阵列排布，多条所述字线沿第一方向延伸，每条所述字线分别与相邻的两行所述晶体管相连。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述字线沿垂直于所述第一方向的第二方向排列，每一条所述字线在所述第二方向上的宽度大于相邻所述晶体管在第二方向上的宽度，每一条所述字线环绕所驱动的所有所述晶体管的沟道。8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，与同一所述字线相连的所述晶体管上的任意两个相邻所述漏极接触件的组合呈平行四边形。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，3个所述晶体管共用同一所述漏极接触件，所述漏极接触件呈三角形。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，5个所述晶体管共用同一所述漏极接触件，所述漏极接触件呈梯形。11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极板的材料包括氧化铟锡、钼、铝、钛或铜中的至少一者。12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：依次排列的多条位线，所述位线的延伸方向垂直于所述字线的延伸方向，所述位线连接延伸方向上的所有所述磁隧道结，所述位线位于所述磁隧道结上方。13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，通过反向自对准双重成像工艺形成所述字线。14.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至13中任一项所述的半导体结构。15.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：形成多个交错排布的晶体管，所述晶体管共用同一源极板，所述晶体管的沟道位于所述源极板上且所述晶体管的沟道长度方向垂直于所述源极板表面，其中，所述沟道的材料2CN115843184A权利要求书2/2页包括氧化物半导体；形成多个漏极接触件，与所述晶体管的漏极电连接，奇数个所述晶体管共用同一所述漏极接触件，共用同一所述漏极接触件的所述晶体管由同一条字线驱动；形成多个磁隧道结，位于所述漏极接触件上，所述磁隧道结与所述漏极接触件一一对应电连接。16.根据权利要求15所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述晶体管的工艺步骤包括：在所述源极板上形成依次层叠的第一隔离层和导电层；刻蚀所述导电层，形成依次排列的多条所