半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115867043A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202111020954.5(22)申请日2021.09.01(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号申请人北京超弦存储器研究院(72)发明人王晓光曾定桂李辉辉曹堪宇(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H10B61/00(2023.01)H10N50/10(2023.01)H10N50/01(2023.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称半导体结构及其制作方法、存储器(57)摘要本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器，半导体结构至少可以包括：多个对齐排列的晶体管，所述晶体管共用同一源极板，所述晶体管的沟道位于所述源极板上，所述晶体管的沟道长度方向垂直于所述源极板表面，其中，所述沟道的材料包括单晶半导体；多个漏极接触件，与所述晶体管的漏极电连接，偶数个所述晶体管共用同一所述漏极接触件；多个磁隧道结，位于所述漏极接触件上，所述磁隧道结与所述漏极接触件一一对应电连接。本申请实施例有利于提升半导体结构的电学性能。CN115867043ACN115867043A权利要求书1/2页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个对齐排列的晶体管，所述晶体管共用同一源极板，所述晶体管的沟道位于所述源极板上，所述晶体管的沟道长度方向垂直于所述源极板表面，其中，所述沟道的材料包括单晶半导体；多个漏极接触件，与所述晶体管的漏极电连接，偶数个所述晶体管共用同一所述漏极接触件；多个磁隧道结，位于所述漏极接触件上，所述磁隧道结与所述漏极接触件一一对应电连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管的沟道与所述源极板直接接触，所述沟道与所述源极板连为一体。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极板包含所述单晶半导体。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述单晶半导体包含单晶硅或单晶锗。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：依次排列的多条字线，所述字线位于所述源极板上方，每一条所述字线用于驱动所述字线延伸方向上的所述晶体管，所述字线环绕所述沟道。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，与同一所述漏极接触件连接的多个所述晶体管由至少两条所述字线驱动。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：依次排列的多条位线，所述位线的排列方向垂直所述字线的排列方向，每一条所述位线连接延伸方向上的所有所述磁隧道结，所述位线位于所述磁隧道结上。8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：栅介质层，所述栅介质层位于所述沟道和所述字线之间且环绕所述沟道，所述栅介质层的材料包括HfO2、ZrO2或HfON中的至少一者。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述源极板表面的方向上，所述栅介质层的长度等于所述沟道的长度，或者，所述栅介质层的长度等于所述字线的长度。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述漏极接触件呈正方形或矩形。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，N2个所述晶体管共用同一所述漏极接触件，所述漏极接触件呈正方形；其中，所述N为大于等于2的整数。12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，2M个所述晶体管共用同一所述漏极接触件，所述漏极接触件呈矩形；其中，所述M为大于等于2的整数。13.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至12中任一项所述的半导体结构。14.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供多个对齐排列的晶体管，所述晶体管共用同一源极板，所述晶体管的沟道位于所述源极板上，所述晶体管的沟道长度方向垂直于所述源极板表面，其中，所述沟道的材料包括单晶半导体；形成多个漏极接触件，与所述晶体管的漏极电连接，偶数个所述晶体管共用同一所述漏极接触件；2CN115867043A权利要求书2/2页形成多个磁隧道结，位于所述漏极接触件上，所述磁隧道结与所述漏极接触件一一对应电连接。15.根据权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述晶体管的工艺步骤包括：形成层叠设置的所述源极板和本征层；刻蚀所述本征层，形成对齐排列的多个所述沟道；形成环绕所述沟道侧壁的栅介质层；形成第一隔离层和依次排列的多条字线，所述第一隔离层位于所述字线与所述源极板之间，所述字线环绕所述字线延伸方向上的所述栅介质层。3CN115867043A说明书1/6页半导体结构及其制作方法、存储器技术领域[0001]本申请实施例涉及半导体领域，特别