半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115843179A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202111050625.5(22)申请日2021.09.08(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人邱少稳(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H10B41/50(2023.01)H10B43/50(2023.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称半导体结构及其制作方法、存储器(57)摘要本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器，半导体结构至少可以包括：自下向上堆叠且设置于不同光刻层中的第一光栅、第二光栅以及第三光栅，不同所述光刻层中用于设置光栅的套刻标记区域重叠，所述第一光栅、所述第二光栅以及所述第三光栅均为周期性结构，所述周期性结构中相邻所述光栅的中心距离为光栅周期，所述第一光栅与所述第二光栅的光栅宽度和/或所述光栅周期不同。本申请实施例有利于提升半导体结构的电学性能。CN115843179ACN115843179A权利要求书1/1页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：自下向上堆叠且设置于不同光刻层中的第一光栅、第二光栅以及第三光栅，不同所述光刻层中用于设置光栅的套刻标记区域重叠，所述第一光栅、所述第二光栅以及所述第三光栅均为周期性结构，所述周期性结构中相邻所述光栅的中心距离为光栅周期，所述第一光栅与所述第二光栅的光栅宽度和/或所述光栅周期不同。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光栅与所述第二光栅处于相邻的不同所述光刻层。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光栅、所述第二光栅以及所述第三光栅均由周期性排列的间隙、凸块或孔洞组成。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述光刻层包括核心区和外围区，所述外围区位于所述核心区和切割道之间，所述套刻标记区域位于所述外围区内。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：处于所述核心区的第一图案和第二图案，所述第一图案与所述第一光栅处于同一所述光刻层，所述第二图案与所述第二光栅处于另一所述光刻层，所述第一光栅与所述第一图案为光栅宽度和光栅周期相同的光栅结构，所述第二光栅与所述第二图案为光栅宽度和/或光栅周期不同的光栅结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图案包括字线。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二图案包括电容接触孔。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二光栅的光栅宽度和光栅周期与所述第三光栅的光栅宽度和光栅周期相同。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二光栅的中心位置与所述第一光栅的中心位置在垂直方向上错位，所述第二光栅与所述第一光栅在所述垂直方向上不重叠。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二光栅的光栅周期大于所述第一光栅的光栅周期，所述第二光栅的中心位置作为所述第一光栅中部分光栅的中心位置。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二光栅的光栅宽度大于所述第一光栅的光栅宽度。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二光栅的光栅宽度小于等于所述第一光栅的光栅宽度的两倍。13.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至12中任一项所述的半导体结构。14.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：形成自下向上堆叠且设置于不同光刻层中的第一光栅、第二光栅以及第三光栅，不同所述光刻层中用于设置光栅的套刻标记区域重叠，所述第一光栅、所述第二光栅以及所述第三光栅均为周期性结构，所述周期性结构中相邻所述光栅的中心距离为光栅周期，所述第一光栅与所述第二光栅的光栅宽度或所述光栅周期不同。15.根据权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：形成第二图案，所述第二光栅和所述第二图案处于同一所述光刻层，所述第二图案与所述第二光栅为光栅周期不同的光栅结构，所述第二光栅的光栅宽度大于所述第二图案的光栅宽度。2CN115843179A说明书1/8页半导体结构及其制作方法、存储器技术领域[0001]本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器。背景技术[0002]光刻工艺是通过对准、曝光等一系列步骤将掩膜版图案转移到晶圆上的工艺过程。在半导体器件制程过程中，通常需要使用多次光刻工艺以实现套刻，而由于光刻工艺上的各种因素无法达到理想状态，必定导致曝光显影留存在晶圆上的图形与晶圆上已有图形无法完全对准，由此需要准确量测