辐射源及其控制方法、光刻设备以及器件制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102890424A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102890424A(43)申请公布日2013.01.23(21)申请号201210232466.5(22)申请日2012.07.05(30)优先权数据61/510,7352011.07.22US(71)申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温(72)发明人埃瑞克·派卓斯·伯曼西拉特·伊什特万·希萨(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人吴敬莲(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书1111页页附图附图44页(54)发明名称辐射源及其控制方法、光刻设备以及器件制造方法(57)摘要本发明公开了一种辐射源及其控制方法、光刻设备以及器件制造方法。所述光刻设备包括：照射器，用于接收来自辐射源设备的EUV辐射束，并且用于调节所述束以照射诸如掩模板等图案形成装置的目标区域。掩模板形成图案化的辐射束。投影系统通过EUV光刻术将图案从所述图案形成装置转移到衬底。设置传感器用于在束尤其沿着非扫描方向接近掩模板时检测所调节的束中的残余的不对称性。产生反馈控制信号，以响应所检测的不对称性来调整所述辐射源的参数。反馈是基于照射狭缝的相对的末端处的两个传感器所测量的强度的比率，并且调整产生发射EUV的等离子体的激光脉冲的时序。CN102894ACN102890424A权利要求书1/2页1.一种控制光刻系统中的辐射源设备的方法，所述方法包括步骤：提供辐射源，所述辐射源用于在期望的位置处发射具有EUV波长的电磁辐射；提供辐射收集器，所述辐射收集器用于接收所发射的辐射，并且形成在虚源点处聚焦的EUV辐射束；提供照射系统，所述照射系统用于接收来自所述虚源点的EUV辐射，并且调节所述束，以在目标区域上提供期望的EUV辐射分布；在所述目标区域处支撑图案形成装置，使得由所调节的束产生图案化的EUV辐射束，并且使用所述图案化的辐射束来向衬底施加图案；检测在所述图案形成装置处所述被调节的束中的EUV辐射的残余的不对称性；以及响应于所检测的残余的不对称性来调整所述辐射源的参数，以便通过反馈控制来减少不对称性。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述辐射源包括燃料供给装置、激光能量源和控制器，所述控制器用于使所述激光能量源的操作与所述燃料供给装置的操作同步，以便将燃料的一部分在所述期望的位置处转化成等离子体，并且其中所述调整参数的步骤包括由所述激光能量源产生的激光辐射脉冲的时序。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述激光能量源在至少两个脉冲中被传递：在到达等离子体位置之前被传递至燃料的一部分、以便将燃料材料蒸发成为云状物的预脉冲；以及在所期望的位置处被传递至所述云状物、以产生等离子体的激光能量的主脉冲。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述目标区域是细长的，使得所述被调节的束在一时刻仅仅照射所述图案形成装置的一条带区域，其中所述图案形成装置沿扫描方向经过整个目标区域被扫描，使得随着时间来照射整个产品图案。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述残余的不对称性尤其沿横向于所述扫描方向的方向被检测。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，使用两个或更多个传感器检测在所述细长的目标区域处的照射的不对称性，并且提供作为反馈的信号至源控制器。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述源控制器使用不对称性信号的大小和符号来提前或推迟燃料液滴流和/或激光束的方向能够被倾斜，以便优化等离子体的对称性。8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其中，使用位于所述细长的目标区域的相对的末端处的第一和第二传感器检测所述残余的不对称性，并且由第一和第二传感器测量的强度的比率被计算作为所述残余的不对称性的量度。9.根据权利要求4、5和8中任一项所述的方法，还包括使用所述图案形成装置附近的传感器测量沿目标区域的长度的强度分布，以及通过在图案形成装置之前物理地遮蔽照射系统中的辐射束的部分来计算和施加均匀性校正，其中所述均匀性校正以低于所述反馈控制的频率被计算和施加。10.根据权利要求4至9中任一项所述的方法，其中，所述细长的目标区域是照射狭缝，所述残余的不对称性是狭缝均匀性倾斜。11.一种光刻设备，用于实施根据权利要求1至10中任一项所述的方法，所述设备包括：照射器模块，构造和布置用于接收来自辐射源设备的EUV辐射束，并且用于调节所述2CN102890424A权利要求书2/2页束以照射图案形成装置的目标区域；支撑结构，被构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案赋予辐射束的横截面，以形成图案化的辐射束；衬底台，被构造用于保持衬底；以及投影系统，用于在衬底上产生被照射的图案形成装置的图像，以便