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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107850862A(43)申请公布日2018.03.27(21)申请号201680041723.3P·A·J·廷尼曼斯A·雅玛IA莱利娜(22)申请日2016.06.28··E·M·休瑟博斯H·E·切克利柳星兰(30)优先权数据L·J·P·维尔希斯15176521.12015.07.13EPV·E·卡拉多L·P·范迪克16175702.62016.06.22EP(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所(85)PCT国际申请进入国家阶段日112562018.01.15代理人王茂华崔卿虎(86)PCT国际申请的申请数据(51)Int.Cl.PCT/EP2016/0650272016.06.28G03F9/00(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据G03F7/20(2006.01)009036EN2017.01.19WO2017/(71)申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温(72)发明人F·G·C·比恩A·J·登博夫R·J·F·范哈伦权利要求书4页说明书25页附图7页(54)发明名称光刻设备和器件制造方法(57)摘要描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤:-针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置;-将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值;-将位置偏差分组成数据集;-确定平均数据集;-从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集;-对可变数据集执行盲源分离方法,由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合;-将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。CN107850862ACN107850862A权利要求书1/4页1.一种表征多个S个衬底的形变的方法,每个衬底包括多个m个对准标记,所述方法包括步骤:-针对所述多个S个衬底中的每个衬底;-针对所述多个S个衬底中的相应衬底上的所述多个m个对准标记中的每个对准标记,执行步骤;-针对多个n个不同对准测量参数λ中的每个对准测量参数λ,使用相应对准测量参数来测量相应对准标记的位置,以获取相应衬底上的相应对准标记的n个对准标记位置测量值;-针对所述多个n个不同对准测量参数λ中的每个对准测量参数λ,将位置偏差确定为所述n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值,由此获取相应衬底的相应对准标记的n个位置偏差;-将所述位置偏差分组成多个数据集;-确定平均数据集;-从所述多个数据集中的每个数据集中减去所述平均数据集以获取多个可变数据集;-对所述可变数据集执行诸如主成分分析等盲源分离方法,由此将所述可变数据集分解为表示所述可变数据集的主成分的特征晶片集合;-将所述特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述位置偏差分组的步骤包括:-将每个衬底S和每个对准测量参数的所述位置偏差分组成数据集,由此获取S×n个数据集,每个数据集包括m个位置偏差。3.根据权利要求1所述的方法,其中将所述位置偏差分组的步骤包括:-将每个衬底S的所述位置偏差分组成数据集,由此获取S个数据集,每个数据集包括m×n个位置偏差。4.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述平均数据集的步骤包括:-针对所述多个S个衬底上的所述多个对准标记m中的每个对准标记以及针对所述多个n个不同对准测量参数λ中的每个对准测量参数λ,-针对对准标记集合中的每个对准标记,将平均位置偏差a(m,n)确定为所述多个S个衬底的所述对准标记集合中的对准标记m的位置偏差的平均值;5.根据权利要求4所述的方法,其中获取所述可变数据集的步骤包括:-针对所述多个衬底S中的每个衬底,针对所述对准标记位置测量值中的每个对准标记位置测量值,减去相应的平均位置偏差a(m,n),以针对所述衬底中的每个衬底获取m×n个可变位置偏差的可变数据集v(m,n);6.根据权利要求5所述的方法,其中将所述特征晶片集合细分的步骤包括将所述特征晶片集合映射到一个或多个可变位置偏差集合v(m,λ)上,由此获取所述特征晶片的加权组合并且评估所述对准测量参数与所述加权组合之间的相关性。7.根据任一前述权利要求所述的方法,其中将所述特征晶片集合细分的步骤包括对所述特征晶片执行模式识别步骤,由此将所述特征晶片的模式与一个或多个已知形变模式相比较。8.根据权利要求1所述的方法,还包括:-针对所述多个S个衬底中的每个衬底获取套刻数据集,所述套刻数据集包括在用于所2CN107850862A权利要求书2/4页述多个S个衬底上的先前曝光的图案的多个套刻测量位置处的套刻测量值,由此根据对准测量参数λrec执行用于所述先前曝光的图案的对准处理;-确定所述多个S个衬底的