一种芯片及晶圆.pdf
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一种芯片及晶圆.pdf
本发明公开了一种芯片和晶圆。芯片包括:功能区和标识区;在标识区内,芯片的表面包括第一像素结构和/或第二像素结构;第一像素结构和第二像素结构分别表示0和1或者1和0;标识区内的所有第一像素结构及第二像素结构组成芯片的标识信息;其中,芯片的标识信息由芯片的原始标识信息经过转换得到,转换方式包括二分法、斐波那契查找法或者二进制转换。本发明实施例的技术方案,相较于采用十进制数和/或字母、或者采用二维码或条形码呈现芯片标识而言,芯片的标识信息对应的所有像素结构所占面积被降低,从而提高了芯片的有效面积。
一种晶圆芯片的切割方法.pdf
本发明公开了一种晶圆芯片的切割方法,包括步骤:刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕,该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度;刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕,第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度;刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割,所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。本发明减少了传统玻璃晶圆切割方法带来的崩边问题,并避免了黑膜脱落并残留在蓝膜上,可最大限度地抑制切割芯片时产生的背面崩裂及芯片破损,有效提高了提高芯片抗折强度。
非晶硅的应用、晶圆上芯片的形成方法及晶圆上芯片.pdf
本发明涉及一种非晶硅在晶圆上芯片中作为芯片之间填充材料的应用、晶圆上芯片的形成方法及晶圆上芯片。其中,晶圆上芯片的形成方法,包括以下步骤:提供待接合的晶圆以及多个芯片;执行接合工艺,在所述晶圆之上接合所述多个芯片且在所述多个芯片之间形成间隙;执行间隙填充工艺,以非晶硅作为填充材料填充所述间隙并覆盖所述芯片的表面;执行化学机械研磨工艺,以露出所述芯片的表面。采用非晶硅作为填充材料填充至各芯片之间的间隙中,由于非晶硅与作为芯片基材的硅的材质相近,在后续利用化学机械研磨工艺进行减薄的过程中,可以降低化学机械研磨
一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片.pdf
本公开涉及一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片,所述方法包括:对所述晶圆的晶圆背面进行机械研磨,其中,所述晶圆的晶圆正面设置有保护膜;在所述晶圆的晶圆厚度降低到目标研磨厚度的情况下,将晶圆置入化学腐蚀溶液,以对所述晶圆背面进行化学腐蚀;在化学腐蚀的时长达到预设时长的情况下,对晶圆进行划片,得到多颗芯片,并将各颗芯片转移到临时衬底上;对所述芯片进行反应离子刻蚀,以将所述芯片的芯片厚度降低到目标厚度;将所述芯片转印到柔性衬底,得到柔性芯片。本公开实施例实现最大限度地降低芯片厚度,不削弱器件的正常性能,并且
一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法.pdf
本发明公开了一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法。所述防静电晶圆结构包括晶圆本体,所述晶圆本体上设置有多个划片道,多个所述的划片道用于将晶圆本体分隔为多个独立的芯片;所述防静电晶圆结构还包括导电的划片线,每一根所述的划片线设置在相应的划片道上并沿所述划片道延伸,且每一根划片线还经导电连接通路与相应芯片电连接。本发明所提供的防静电晶圆结构,避免制造过程中的静电对芯片产生的损害的同时,在划片工序后,划片线被破坏去除,导电连接通路不再通过划片线互连,芯片上残留的导电连接通路不会影响芯片的功能。