一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114337592A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202111646384.0(22)申请日2021.12.30(71)申请人南京宙讯微电子科技有限公司地址210000江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园天骄路100号江苏南京侨梦苑A苑11楼201室(72)发明人周冲(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256代理人赵世发(51)Int.Cl.H03H9/54(2006.01)H03H9/70(2006.01)H03H3/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法(57)摘要本发明公开了一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法。所述防静电晶圆结构包括晶圆本体，所述晶圆本体上设置有多个划片道，多个所述的划片道用于将晶圆本体分隔为多个独立的芯片；所述防静电晶圆结构还包括导电的划片线，每一根所述的划片线设置在相应的划片道上并沿所述划片道延伸，且每一根划片线还经导电连接通路与相应芯片电连接。本发明所提供的防静电晶圆结构，避免制造过程中的静电对芯片产生的损害的同时，在划片工序后，划片线被破坏去除，导电连接通路不再通过划片线互连，芯片上残留的导电连接通路不会影响芯片的功能。CN114337592ACN114337592A权利要求书1/1页1.一种防静电晶圆结构，包括晶圆本体，所述晶圆本体上设置有多个划片道，多个所述的划片道用于将所述晶圆本体分隔为多个独立的芯片；其特征在于，所述防静电晶圆结构还包括导电的划片线，每一根所述的划片线设置在相应的划片道上并沿所述划片道延伸，且每一根划片线还经导电连接通路与相应芯片电连接。2.根据权利要求1所述的防静电晶圆结构，其特征在于，每一划片道中均设置有一根所述的划片线。3.根据权利要求1所述的防静电晶圆结构，其特征在于，所述导电连接通路的至少局部区域分布在所述划片道中。4.根据权利要求1所述的防静电晶圆结构，其特征在于，所述划片线为直线，且与两侧相邻的所述芯片的距离相等；优选的，所述划片线设置于所述划片道的表面；优选的，多个所述的划片线在所述晶圆本体表面交叉排布形成网格结构。5.根据权利要求1所述的防静电晶圆结构，其特征在于，所述导电连接通路包括线型通路和/或平面型通路；优选的，所述线型通路为直线、折线或曲线结构；优选的，所述平面型通路包括矩形平面通路和/或L形平面通路。6.根据权利要求5所述的防静电晶圆结构，其特征在于，所述矩形平面通路的相对的两条边分别与所述芯片和划片线相接。7.根据权利要求5所述的防静电晶圆结构，其特征在于，所述划片线包括横向划片线和纵向划片线；所述L形平面通路设置于临近所述芯片的顶角的位置，且所述L形平面通路的两条内侧边分别与所述芯片顶角的两边相接，所述L形平面通路的两条外侧边分别与所述横向划片线和纵向划片线相接。8.根据权利要求1所述的防静电晶圆结构，其特征在于，所述芯片包括SAW滤波器及双工器芯片；所述划片线的材质包括铜、铝、金以及锡中的一种或两种以上的组合，所述划片线的制备方法包括电镀、化学镀、磁控溅射以及蒸镀中的一种或两种以上的组合；优选的，所述划片线的宽度为0.01‑0.2mm，厚度为0.001‑0.01mm；和/或，每个所述芯片电连接所述导电连接通路的数量为1‑20，所述导电连接通路的材质包括铜、铝、金以及锡中的一种或两种以上的组合，所述导电连接通路的制备方法包括电镀、化学镀、磁控溅射以及蒸镀中的一种或两种以上的组合；优选的，所述导电连接通路的宽度为0.01‑0.2mm，厚度为0.001‑0.01mm。9.一种芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供权利要求1‑8任一项所述的防静电晶圆结构；沿划片道对晶圆本体进行切割，从而将所述晶圆本体分隔为多个独立的芯片，同时将所述划片道中的划片线去除。10.一种由权利要求9所述的制造方法制造的芯片；优选的，所述芯片包括SAW滤波器及双工器芯片。2CN114337592A说明书1/5页一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法。背景技术[0002]随着5G通信等技术的发展以及芯片制程工艺的进步，SAW滤波器及双工器芯片的尺寸不断趋于小型化。然而，这种小型化的趋势在不断满足高频段通信等需求的同时，也让SAW滤波器及双工器芯片对静电更加敏感。在SAW滤波器及双工器芯片的叉指换能器结构中，电极宽度以及电极间距仅有不足1μm，静电放电产生的瞬间电流极大，很容易使这种微小的结构击穿进而导致整个芯片失效。然而在生产过程中，芯片会经常与设备、人体等发生接触、摩擦，难以避免