一种晶圆芯片的切割方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108214954A(43)申请公布日2018.06.29(21)申请号201810015647.X(22)申请日2018.01.08(71)申请人福建省福联集成电路有限公司地址351117福建省莆田市涵江区涵港西路368号(72)发明人陈智伟黄琮诗池育维(74)专利代理机构福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)35219代理人林祥翔徐剑兵(51)Int.Cl.B28D5/02(2006.01)B28D7/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种晶圆芯片的切割方法(57)摘要本发明公开了一种晶圆芯片的切割方法，包括步骤：刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕，该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度；刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕，第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度；刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割，所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。本发明减少了传统玻璃晶圆切割方法带来的崩边问题，并避免了黑膜脱落并残留在蓝膜上，可最大限度地抑制切割芯片时产生的背面崩裂及芯片破损，有效提高了提高芯片抗折强度。CN108214954ACN108214954A权利要求书1/1页1.一种晶圆芯片的切割方法，其特征在于，包括步骤：刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕，该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度；刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕，第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度；刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割，所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。2.根据权利要求1所述晶圆芯片的切割方法，其特征在于，所述第一刀高小于第二刀高。3.根据权利要求1所述晶圆芯片的切割方法，其特征在于，所述预设的进刀顺序为相对晶圆的0°、90°、180°、270°四个角度的先后顺序在同一切割道上以不同刀高进行往返切割。2CN108214954A说明书1/3页一种晶圆芯片的切割方法技术领域[0001]本发明涉及芯片加工领域，尤其涉及一种晶圆芯片的切割方法。背景技术[0002]传统轮锯切割晶圆的方法，就是用刀具(如金刚石刀具)逐一对需要切割的切割道进行横向和纵向的完全切割从而实现晶粒的分离；[0003]刀具主要是由硬质颗粒和粘合剂组成。刀具的制作工艺会使刀具两面的硬质颗粒分布不一，一面有裸露硬质颗粒而另一面没有裸露的硬质颗粒，因此会导致两面的切割效果不一，且对芯片切割后会存在大量的崩边；由于切割道的宽度过大，如果产品的布局设计为之扩大切割道的宽度就会造成面积浪费，并且影响芯片使用寿命，且在单边切割时，其切割痕迹偏差过大。发明内容[0004]为此，需要提供一种芯片刀具切割方法用于解决传统刀具在切割芯片时产生大量崩边、切割痕迹偏差等问题，从而提高玻璃晶圆切割效率；[0005]为实现上述目的，发明人提供了一种晶圆芯片的切割方法，优选的包括步骤：[0006]刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕，该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度；[0007]刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕，第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度；[0008]刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割，所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。[0009]进一步优化，所述第一刀高小于第二刀高。[0010]进一步优化，所述预设的进刀顺序为相对晶圆的0°、90°、180°、270°四个角度的先后顺序在同一切割道上以不同刀高进行往返切割。[0011]区别于现有技术，上述技术方案解决了单边切割产生痕迹偏差、切割道面积浪费、传统芯片切割良率和寿命低等问题，可最大限度地抑制切割芯片时产生的背面崩裂及芯片破损，有效提高了提高芯片抗折强度。附图说明[0012]图1为本发明一实施方式的方法流程图；[0013]图2为本发明一实施方式的示意图。具体实施方式[0014]为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。3CN108214954A说明书2/3页[0015]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，刀具为含TiW刀具，TiW也就是钛钨合金，一种硬质材料，合金厚度60nm，专门用于切割晶圆的硬质材料。[0016]请参阅图1与图2，发明人提供了一种晶圆芯片的切割方法，优选的包括步骤：[0017]S101：刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕，该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度；[0018]S103：刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆