一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片.pdf
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一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片.pdf
本公开涉及一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片,所述方法包括:对所述晶圆的晶圆背面进行机械研磨,其中,所述晶圆的晶圆正面设置有保护膜;在所述晶圆的晶圆厚度降低到目标研磨厚度的情况下,将晶圆置入化学腐蚀溶液,以对所述晶圆背面进行化学腐蚀;在化学腐蚀的时长达到预设时长的情况下,对晶圆进行划片,得到多颗芯片,并将各颗芯片转移到临时衬底上;对所述芯片进行反应离子刻蚀,以将所述芯片的芯片厚度降低到目标厚度;将所述芯片转印到柔性衬底,得到柔性芯片。本公开实施例实现最大限度地降低芯片厚度,不削弱器件的正常性能,并且
超薄芯片的封装结构、柔性集成封装方法.pdf
本发明涉及超薄芯片的封装结构、柔性集成封装方法。该超薄芯片的封装结构包括:布线层;柔性线路板介质层,设置在布线层的表面且设置有开槽;至少一个超薄芯片,设置在开槽内;感光显影型覆盖膜,覆盖超薄芯片和柔性线路板介质层;盲孔,贯穿感光显影型覆盖膜和柔性线路板介质层;连接电极,通过盲孔将超薄芯片与布线层电连接。本发明所提出的封装结构,采用柔性的感光显影型覆盖膜代替保护膜,并通过贯穿感光显影型覆盖膜和柔性线路板介质层的盲孔,将超薄芯片与柔性线路板介质层背面的布线层互连,如此优化布线可以实现单颗或多颗超薄芯片的嵌入式
超薄芯片的封装结构、柔性集成封装方法.pdf
本发明涉及超薄芯片的封装结构、柔性集成封装方法。该封装结构包括:柔性线路板,其一侧表面上设置有贴合区;至少一个超薄芯片,设置在贴合区内;布线层,设置在贴合区以外;感光显影型覆盖膜,设置在超薄芯片和布线层远离柔性线路板的表面;连接电极,通过感光显影型覆盖膜上的盲孔将超薄芯片与布线层电连接。本发明所提出的超薄芯片的封装结构,采用柔性线路板作为封装基板,并通过感光显影型覆盖膜,且采用多层次布线,如此,封装结构的厚度在100微米以下,表现形态上具有可柔、可弯折的特点,从而实现超薄芯片的柔性集成封装,及封装结构的整
一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法.pdf
本发明公开了一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法,其中晶圆级芯片结构,包括:硅通孔,所述硅通孔位于晶圆的第一表面至第二表面的预设距离;晶圆的第一表面包括:有源区、多层再分布线层以及凸点;所述晶圆的第二表面包括:凸点下金属化层及凹形绝缘介质层,所述凹形绝缘介质层的凹形结构数量与所述硅通孔的数量一致,且所述凹形绝缘介质层的底部被所述硅通孔的底部隔断,所述凸点下金属化层填充所述凹形绝缘介质层内与所述硅通孔电连接。本申请提供的实施例对TSV盲孔刻蚀片内深度均匀性不敏感,避免了现有技术中的超高选择比Si
一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法.pdf
本发明公开了一种防静电晶圆结构、芯片及芯片制造方法。所述防静电晶圆结构包括晶圆本体,所述晶圆本体上设置有多个划片道,多个所述的划片道用于将晶圆本体分隔为多个独立的芯片;所述防静电晶圆结构还包括导电的划片线,每一根所述的划片线设置在相应的划片道上并沿所述划片道延伸,且每一根划片线还经导电连接通路与相应芯片电连接。本发明所提供的防静电晶圆结构,避免制造过程中的静电对芯片产生的损害的同时,在划片工序后,划片线被破坏去除,导电连接通路不再通过划片线互连,芯片上残留的导电连接通路不会影响芯片的功能。