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本公开涉及一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片,所述方法包括:对所述晶圆的晶圆背面进行机械研磨,其中,所述晶圆的晶圆正面设置有保护膜;在所述晶圆的晶圆厚度降低到目标研磨厚度的情况下,将晶圆置入化学腐蚀溶液,以对所述晶圆背面进行化学腐蚀;在化学腐蚀的时长达到预设时长的情况下,对晶圆进行划片,得到多颗芯片,并将各颗芯片转移到临时衬底上;对所述芯片进行反应离子刻蚀,以将所述芯片的芯片厚度降低到目标厚度;将所述芯片转印到柔性衬底,得到柔性芯片。本公开实施例实现最大限度地降低芯片厚度,不削弱器件的正常性能,并且能够有效消除前序机械磨削在材料内引入的损伤,削弱超薄芯片的残余应力,减小芯片的翘曲变形。