非晶硅的应用、晶圆上芯片的形成方法及晶圆上芯片.pdf

本发明涉及一种非晶硅在晶圆上芯片中作为芯片之间填充材料的应用、晶圆上芯片的形成方法及晶圆上芯片。其中,晶圆上芯片的形成方法,包括以下步骤:提供待接合的晶圆以及多个芯片;执行接合工艺,在所述晶圆之上接合所述多个芯片且在所述多个芯片之间形成间隙;执行间隙填充工艺,以非晶硅作为填充材料填充所述间隙并覆盖所述芯片的表面;执行化学机械研磨工艺,以露出所述芯片的表面。采用非晶硅作为填充材料填充至各芯片之间的间隙中,由于非晶硅与作为芯片基材的硅的材质相近,在后续利用化学机械研磨工艺进行减薄的过程中,可以降低化学机械研磨工艺的负载效应,使得减薄后的间隙填充区域的表面与芯片表面近似相平。