LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115832149A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202310112867.5(22)申请日2023.02.15(71)申请人季华实验室地址528200广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号申请人深圳市奥视微科技有限公司(72)发明人马兴远岳大川蔡世星李小磊伍德民(74)专利代理机构北京开阳星知识产权代理有限公司11710专利代理师姚金金(51)Int.Cl.H01L33/50(2010.01)H01L33/44(2010.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构(57)摘要本公开涉及色转换技术领域，尤其涉及一种LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构，方法包括以下步骤：在芯片本体上涂覆二氧化硅材料，使其完全覆盖芯片本体的表面，以在芯片本体上形成二氧化硅覆盖层；对二氧化硅覆盖层的对应芯片本体内发光单元的位置刻蚀至使芯片本体的部分表面显露，以形成隔离矩阵槽；向二氧化硅覆盖层上涂覆色转换材料，直至完全填充隔离矩阵槽，以形成色转换层，本公开使二氧化硅覆盖层和芯片本体的氮化镓之间形成材料隔离分界线，保证了刻蚀过程中的刻蚀终点明确，从而避免了损伤到芯片本体内部的发光单元，保护了芯片本体，增加了LED芯片结构的成品率。CN115832149ACN115832149A权利要求书1/2页1.一种LED芯片结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在芯片本体上涂覆二氧化硅材料，并使所述二氧化硅材料完全覆盖所述芯片本体的表面，以在所述芯片本体上形成二氧化硅覆盖层；其中，所述芯片本体内具有多个发光单元；对所述二氧化硅覆盖层的对应各所述发光单元的位置进行刻蚀，直至所述芯片本体的部分表面显露出，以形成与所有所述发光单元相对应的隔离矩阵槽；向所述隔离矩阵槽内填充色转换材料，以形成色转换层。2.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于，所述对所述二氧化硅覆盖层的对应所述各所述发光单元的位置进行刻蚀，直至所述芯片本体的部分表面显露出，以形成与所有所述发光单元相对应的隔离矩阵槽的步骤之后还包括：在所述二氧化硅覆盖层上涂覆金属材料，并使所述金属材料完全覆盖所述二氧化硅覆盖层的表面和所述隔离矩阵槽的槽壁面，以在所述二氧化硅覆盖层上形成金属隔离层；对位于所述隔离矩阵槽的槽底面的部分所述金属隔离层和位于所述二氧化硅覆盖层的远离所述芯片本体的表面的部分所述金属隔离层进行刻蚀去除。3.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于，所述向所述隔离矩阵槽内填充色转换材料，以形成色转换层的步骤具体包括：向所述二氧化硅覆盖层上涂覆色转换材料，使所述二氧化硅覆盖层上的色转换材料流入所述隔离矩阵槽内，直至所述隔离矩阵槽被所述色转换材料完全填充；去除所述二氧化硅覆盖层上的位于所述隔离矩阵槽外的部分所述色转换材料。4.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于，所述向所述隔离矩阵槽内填充色转换材料，以形成色转换层的步骤之后还包括：在所述二氧化硅覆盖层和所述色转换层上沉积一层材料保护层。5.一种根据权利要求1‑4中任一项所述的LED芯片结构的制作方法制得的LED芯片结构，其特征在于，包括芯片本体（1）、二氧化硅覆盖层（2）和色转换层（3）；所述芯片本体（1）内具有多个发光单元（11），所述芯片本体（1）的表面完全覆设有所述二氧化硅覆盖层（2），所述二氧化硅覆盖层（2）上对应各所述发光单元（11）的位置处形成有隔离矩阵槽（21），且所述隔离矩阵槽（21）延伸至所述芯片本体（1）的表面；所述色转换层（3）填充于所述隔离矩阵槽（21）内。6.根据权利要求5所述的LED芯片结构，其特征在于，所述隔离矩阵槽（21）的槽壁上还设置有金属隔离层（4）；所述芯片本体（1）的部分表面自所述隔离矩阵槽（21）的槽底处显露于所述隔离矩阵槽（21）中。7.根据权利要求5所述的LED芯片结构，其特征在于，所述色转换层（3）的远离所述芯片本体（1）的一侧完全覆设有材料保护层（5）。8.根据权利要求7所述的LED芯片结构，其特征在于，所述材料保护层（5）的材质包括SiO2、Al2O3或Si3N4。9.根据权利要求5所述的LED芯片结构，其特征在于，所述二氧化硅覆盖层（2）的厚度为1μm‑10μm；和/或，所述隔离矩阵槽（21）通过在所述二氧化硅覆盖层（2）上采用等离子体刻蚀形成。2CN115832149A权利要求书2/2页10.根据权利要求5所述的LED芯片结构，其特征在于，所述色转换层（3）的色转换材料为量子点材料。3CN115832149A说明书1/5页LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构技术领域[0001]本公开涉及色转换技术领