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光电子器件以及用于接触光电子器件的方法.pdf
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一种光电子器件(1)、尤其光伏元件,具有:基部电极(2);顶部电极(3);以及具有至少一个光活性层的层体系(4),其中层体系(4)布置在基部电极(2)与顶部电极(3)之间;布置在基部电极(2)和/或顶部电极(3)的背离层体系(4)一侧的平面化层(5);布置在平面化层(5)上的至少一个阻挡层(6);以及至少一个电力汇流条(7),其中至少一个电力汇流条(7)布置在至少一个阻挡层(6)上,其中平面化层(5)具有导电粒子(9,10),其中导电粒子(9,10)至少大体上被引入到平面化层(5)中,并且其中导电粒子(9
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提出一种用于制造用于光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法，所述方法包括如下步骤：a)提供生长衬底(120)，所述生长衬底具有在其上生长的半导体本体(10)，所述半导体本体具有第一区域(101)、第二区域(102)和有源区域(103)；b)产生至少一个第一留空部(170)，所述第一留空部从第二区域(102)开始完全地穿过有源区域(103)延伸到第一区域(101)中并且不完全地穿透第一区域(101)；c)将第一导电接触材料引入到第一留空部(170)中；d)将半导体本体(10)借助背离生长衬底(12
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说明了一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,具有以下步骤:A)提供布置在载体(50)上的多个半导体芯片(10),B)在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(50)的侧上布置辅助载体(60),C)去除所述载体(50),D)将所述半导体芯片(10)之间的所述辅助载体(60)分离成辅助载体芯片单元(2),每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片(10)和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分(61),E)将所述辅助载体芯片单元(2)分别布置在连接载体(30)上,以及F)从每个辅助载体芯片单元(2)去除各自的辅
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