光电子器件和用于制造光电子器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110998877A(43)申请公布日2020.04.10(21)申请号201880046678.X(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司1(22)申请日2018.07.121227代理人丁永凡张春水(30)优先权数据102017115794.82017.07.13DE(51)Int.Cl.H01L33/38(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L33/00(2006.01)2020.01.13H01L33/44(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L33/48(2006.01)PCT/EP2018/0690352018.07.12H01L33/02(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L33/30(2006.01)WO2019/012084DE2019.01.17(71)申请人欧司朗OLED股份有限公司地址德国雷根斯堡(72)发明人坦森·瓦尔盖斯斯特凡·伊莱克权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称光电子器件和用于制造光电子器件的方法(57)摘要提出一种光电子器件(1)，其包括：半导体本体(10)，第一传导类型的第一区域(101)、第二传导类型的第二区域(102)和有源区(103)。有源区(103)设置在第一区域(101)和第二区域(102)之间。在半导体本体(10)的第一区域(101)中存在留空部(160)，具有与留空部(160)邻接的接触区域(170)。有源区(103)设计用于发射电磁辐射。半导体本体(10)在第二区域(102)的背离于有源区(103)的主面上具有第一辐射出射面(10A)，和在运行中产生的电磁辐射的一部分穿过所述第一辐射出射面(10A)离开半导体本体(10)。半导体本体(10)具有第一电联接层(121)和第二电联接层(122)，其中第二电联接层(122)至少部分设置在留空部(160)中。在第一辐射出射面(10A)下游设置有辐射可穿透的载体(140)，所述载体借助于辐射可穿透的连接层(132)与半导体本体(10)材料配合地连接。此外提出一种用于制造光CN110998877A电子器件(1)的方法。CN110998877A权利要求书1/2页1.一种光电子器件(1)，具有：-半导体本体(10)，所述半导体本体包括第一传导类型的第一区域(101)、第二传导类型的第二区域(102)和有源区(103)，所述有源区设置在所述第一区域(101)和所述第二区域(102)之间，-在所述半导体本体(10)的所述第一区域(101)中的留空部(160)，-与所述留空部(160)邻接的接触区域(170)，其中-所述半导体本体(10)的所述有源区(103)设计用于发射电磁辐射，-所述半导体本体(10)在所述第二区域(102)的背离于所述有源区(103)的主面上具有第一辐射出射面(10A)，-在运行中产生的电磁辐射的至少一部分通过所述第一辐射出射面(10A)离开所述半导体本体(10)，-所述半导体本体(10)具有第一电联接层(121)和第二电联接层(122)，其中-所述第二电联接层(122)至少部分设置在所述留空部(160)中，和-在所述第一辐射出射面(10A)下游设置有辐射可穿透的载体(140)，所述载体借助于辐射可穿透的连接层(132)与所述半导体本体(10)材料配合地连接。2.根据权利要求1所述的光电子器件(1)，其中所述半导体本体(10)的所述第二区域(102)基于磷化镓化合物半导体材料。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(1)，其中所述第二传导类型的掺杂材料引入到所述接触区域(170)中。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(1)，其中所述接触区域(170)沿着所述半导体本体(10)的主延伸平面的扩展对应于所述留空部(160)沿着所述半导体本体(10)的主延伸平面的扩展。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(1)，其中所述留空部(160)并不完全穿透所述半导体本体(10)的所述第一区域(101)。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(1)，其中所述辐射可穿透的连接层(132)包含基于苯并环丁烯的聚合物、氮氧化硅、氧化钛或氧化铝。7.根据上一项权利要求所述的光电子器件(1)，其中所述辐射可穿透的连接层(132)的光学折射率与所述辐射可穿透的载体(140)的光学折射率偏差最大10％。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(1)，所述光电子器件在所述半导体本体(10)的所述第一区域(101)的背离于所述有源区(103)的主面上具有第二辐射出射面(10B)，所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述第二辐射出射面离开所述半导体本体(10)。9.根据上一