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本发明涉及一种光电子器件(100),其包括载体(8)和多个能够被单独地并且独立地驱动的光电子的半导体芯片(1)。每个半导体芯片包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有n型掺杂层(20)、p型掺杂层(21)、用于产生的辐射的有源区(22)和侧表面(25),所述侧表面横向于有源区地延伸并且沿横向方向界定半导体层序列。半导体芯片在半导体层序列的相应的侧表面上分别具有电绝缘的钝化层(4)。至少一些半导体芯片配属于第一组(11)。第一组的半导体芯片配置有共同的边缘场产生装置(5),所述边缘场产生装置在第一组的每个半导体芯片中在钝化层的背离半导体层序列的一侧上布置在有源区的高度上。边缘场产生装置设置用于,至少暂时地在有源区的边缘区域(52)中产生电场,因此在第一组的半导体芯片运行时能够控制在边缘区域中流动通过半导体层序列的电流。