具有接触结构的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的接触结构的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111066159A(43)申请公布日2020.04.24(21)申请号201880058966.7(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司1(22)申请日2018.07.041227代理人王逸君丁永凡(30)优先权数据102017117650.02017.08.03DE(51)Int.Cl.H01L33/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L33/38(2006.01)2020.03.11H01L33/02(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L33/20(2006.01)PCT/EP2018/0681422018.07.04H01L33/30(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2019/025110DE2019.02.07(71)申请人欧司朗OLED股份有限公司地址德国雷根斯堡(72)发明人沃尔夫冈·施密德马库斯·布勒尔权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称(180)中，使得第一接触材料和第二接触材料形具有接触结构的光电子半导体器件和用于成穿过半导体本体(10)的导电的接触结构。此制造光电子半导体器件的接触结构的方法外，提出一种具有接触结构(150)的光电子半导(57)摘要体器件(1)。提出一种用于制造用于光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法，所述方法包括如下步骤：a)提供生长衬底(120)，所述生长衬底具有在其上生长的半导体本体(10)，所述半导体本体具有第一区域(101)、第二区域(102)和有源区域(103)；b)产生至少一个第一留空部(170)，所述第一留空部从第二区域(102)开始完全地穿过有源区域(103)延伸到第一区域(101)中并且不完全地穿透第一区域(101)；c)将第一导电接触材料引入到第一留空部(170)中；d)将半导体本体(10)借助背离生长衬底(120)的侧固定在载体衬底(130)上，并且将生长衬底(120)从半导体本体(10)剥离；e)产生至少一个第二留空部(180)，所述第二留空部从第一区域(101)开始延伸直至第一留空部(170)，使得第一留空部(170)和第二留空部(180)形成穿过半导体本体(10)的穿引部；CN111066159A以及f)将第二导电接触材料引入到第二留空部CN111066159A权利要求书1/2页1.一种用于制造光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法，所述方法包括如下步骤：a)提供生长衬底(120)，所述生长衬底具有在其上生长的半导体本体(10)，所述半导体本体具有第一区域(101)、第二区域(102)和适合于产生或者探测电磁辐射的有源区域(103)，其中所述第一区域(101)设置在所述生长衬底(120)和所述有源区域(103)之间，并且其中所述有源区域(103)设置在所述第一区域(101)和所述第二区域(102)之间；b)产生第一留空部(170)，所述第一留空部从所述第二区域(102)开始完全地穿过所述有源区域(103)延伸至所述第一区域(101)中并且不完全地穿透所述第一区域(101)，其中所述第一留空部(170)具有圆锥、截锥、棱锥或截棱锥的形状；c)将第一导电接触材料引入到所述第一留空部(170)中；d)将所述半导体本体(10)借助所述半导体本体(10)的背离所述生长衬底(120)的侧固定在载体衬底(130)上，并且将所述生长衬底(120)从所述半导体本体(10)剥离；e)产生第二留空部(180)，所述第二留空部具有圆锥、截锥、棱锥或截棱锥的形状，并且所述第二留空部从所述第一区域(101)开始延伸直至所述第一留空部(170)，使得所述第一留空部(170)和所述第二留空部(180)形成穿过所述半导体本体(10)的穿引部；f)将第二导电接触材料引入到所述第二留空部(180)中，使得所述第一接触材料和所述第二接触材料形成穿过所述半导体本体(10)的导电的接触结构(150)。2.根据上一项权利要求所述的用于制造光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法，其中在方法步骤e)中至少直至设置在所述第一区域(101)中的标记层(140)构成所述第二留空部(180)。3.根据上述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法，其中在方法步骤b)和c)之间将电绝缘的、优选介电的层(160)引入到所述第一留空部(170)中，将所述电绝缘的、优选介电的层(160)在方法步骤e)和f)之间部分地移除，使得部分地露出所述第一接触材料。4.根据上一项权利要求所述的用于制造光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法，其中将所述电绝缘的、优选介电的层(160)借助于高温工艺