用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf
黛娥****ak
亲,该文档总共21页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf
说明了一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,具有以下步骤:A)提供布置在载体(50)上的多个半导体芯片(10),B)在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(50)的侧上布置辅助载体(60),C)去除所述载体(50),D)将所述半导体芯片(10)之间的所述辅助载体(60)分离成辅助载体芯片单元(2),每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片(10)和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分(61),E)将所述辅助载体芯片单元(2)分别布置在连接载体(30)上,以及F)从每个辅助载体芯片单元(2)去除各自的辅
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf
说明了一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,具有以下步骤:A)提供布置在载体(50)上的多个半导体芯片(10),B)在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(50)的侧上布置辅助载体(60),C)去除所述载体(50),D)将所述半导体芯片(10)之间的所述辅助载体(60)分离成辅助载体芯片单元(2),每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片(10)和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分(61),E)将所述辅助载体芯片单元(2)分别布置在连接载体(30)上,以及F)从每个辅助载体芯片单元(2)去除各自的辅
具有接触结构的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的接触结构的方法.pdf
提出一种用于制造用于光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法,所述方法包括如下步骤:a)提供生长衬底(120),所述生长衬底具有在其上生长的半导体本体(10),所述半导体本体具有第一区域(101)、第二区域(102)和有源区域(103);b)产生至少一个第一留空部(170),所述第一留空部从第二区域(102)开始完全地穿过有源区域(103)延伸到第一区域(101)中并且不完全地穿透第一区域(101);c)将第一导电接触材料引入到第一留空部(170)中;d)将半导体本体(10)借助背离生长衬底(12
光电子半导体器件,光电子半导体设备,用于运行光电子半导体器件的方法和生物传感器.pdf
一种光电子半导体器件(10),其具有半导体层堆(109),在所述半导体层堆中,表面发射激光二极管(103)以及光电探测器(105)竖直地上下相叠地设置。光电子半导体器件(10)此外也具有电流源(149),所述电流源适合于改变注入到表面发射激光二极管中的电流强度,由此发射波长可改变。
用于制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf
一种用于制造半导体器件的方法包括提供具有衬底、位于衬底上方的半导体沟道层、位于半导体沟道层上方的界面氧化物层以及位于界面氧化物层上方的高k栅极介电层的结构,其中,半导体沟道层包括锗。该方法还包括在高k栅极介电层上方形成金属氮化物层并使用含金属气体对该结构执行第一处理。在执行第一处理之后,该方法还包括在金属氮化物层上方沉积硅层;然后对该结构执行退火,使得在高k栅极介电层上方形成金属混合层。金属混合层包括具有来自高k栅极介电层的金属物质和来自含金属气体的附加金属物质的金属氧化物。根据本申请的其他实施例,还提供