一种硅异质结电池及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115832116A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211592552.7H01L31/054(2014.01)(22)申请日2022.12.13(71)申请人国家电投集团新能源科技有限公司地址330000江西省南昌市高新技术产业开发区高新二路18号创业园创业大厦302室(72)发明人周子超宿世超田宏波王伟李世岚(74)专利代理机构南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙)36135专利代理师刘俊文(51)Int.Cl.H01L31/20(2006.01)H01L31/0747(2012.01)H01L31/0216(2014.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种硅异质结电池及其制备方法(57)摘要本发明属于太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种硅异质结电池及其制备方法。该硅异质结电池由以下步骤制得：将厚度不超过130μm的单晶硅片进行双面制绒，然后将其背面刻蚀为平面；随后在正面依次沉积一层本征非晶硅和一层N型非晶硅；背面依次沉积一层本征非晶硅和P型非晶硅；然后在正背面分别沉积一层TCO导电薄膜；然后在背面依次沉积一层功能层和一层抗氧化焊接层，得到电池片；最后在正面印刷主副栅线制得。本发明基于硅片减薄和背面抛光双重新型技术，通过配套设计背面结构、厚度及材质，相互配合制得一种HJT电池，实现了在降低电池生产成本的同时，还保证了较高的电池转换效率。CN115832116ACN115832116A权利要求书1/1页1.一种硅异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将厚度为80μm‑130μm的单晶硅片进行双面制绒；(2)对双面制绒后的单晶硅片的背面进行刻蚀，使其成为平面；(3)在步骤(2)处理后的材料的正面依次沉积一层本征非晶硅和一层N型非晶硅；背面依次沉积一层本征非晶硅和P型非晶硅；(4)在步骤(3)处理后的材料的正背面分别沉积一层TCO导电薄膜；(5)在步骤(4)处理后的材料的背面依次沉积一层功能层和一层抗氧化焊接层，得到电池片；所述功能层由Cu、Ni、Al、Ti和Sn中的至少一种制得；所述抗氧化焊接层由Sn、Al、Ni和Ti中的至少一种制得；(6)在所述电池片的正面印刷主副栅线；制得所述硅异质结电池。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，对双面制绒后的单晶硅片的背面进行刻蚀，使其成为平面，其反射率为45％‑50％。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，其反射率为49％。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，刻蚀的具体过程为：采用浓度为5％的KOH溶液进行刻蚀。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述功能层的厚度为50nm‑500nm。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述功能层的厚度为150nm‑200nm。7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述功能层由Cu制得。8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述本征非晶硅、所述N型非晶硅和所述P型非晶硅的厚度均为2nm‑20nm。9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述TCO导电薄膜的厚度为50nm‑200nm，折射率为1.6‑2.5。10.一种硅异质结电池，其特征在于，由权利要求1至9任一项所述的制备方法制得。2CN115832116A说明书1/4页一种硅异质结电池及其制备方法技术领域[0001]本发明属于太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种硅异质结电池及其制备方法。背景技术[0002]异质结太阳能电池又称为HJT电池，是现今最受关注的太阳能电池技术之一，其光电转换效率最高可达26.81％。但异质结太阳能电池由于本征特性，其制备工艺一般不会超过220℃，因此，电池往往在正背面采用低温银浆(电导率较低)印刷电极栅线制得，为了保证电池效率，需要增加栅线数量，从而使银浆耗量剧增(低温银浆的成本极高)；同时，由于单晶硅的光吸收特性，其对于硅片的厚度也存在一定要求，低于一定厚度会导致电池转换效率的降低。[0003]上述存在的情况导致了异质结太阳能电池的生产成本过高，严重制约了其大规模应用。因此，如何在保证异质结较高电池转换效率的同时降低其生产成本成为了本领域亟待解决的问题。发明内容[0004]本发明的目的是解决现有技术的不足，提供一种硅异质结电池的制备方法，具体采用以下的技术方案：[0005]一种硅异质结电池的制备方法，包括以下步骤：[0006](1)将厚度为80μm‑130μm的单晶硅片进行双面制绒；[0007](2)对双面制绒后的单晶硅片的背面进行刻蚀，使其成为平面；[0008](3)在步骤(2)处理后的材料的正面依