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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112635609A(43)申请公布日2021.04.09(21)申请号202110095617.6(22)申请日2021.01.25(71)申请人苏州迈为科技股份有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区芦荡路228号(72)发明人董刚强郁操(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401代理人蓝晓玉(51)Int.Cl.H01L31/074(2012.01)H01L31/0232(2014.01)H01L31/0376(2006.01)H01L31/20(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法(57)摘要本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层,所述光疏介质层包括介质材料层,所述介质材料层的材料为光疏介质材料,所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层,可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。CN112635609ACN112635609A权利要求书1/1页1.一种硅基异质结太阳能电池,其特征在于,在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层。2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质层包括介质材料层,所述介质材料层的材料为光疏介质材料。3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。4.根据权利要求2或3所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质层具有两层所述介质材料层,所述光疏介质层还包括纳米颗粒层,所述纳米颗粒层包裹于两层所述介质材料层之间;所述纳米颗粒层的材料为具有表面等离子体效应的金属纳米颗粒。5.根据权利要求4所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒或金纳米颗粒;可选地,所述光疏介质材料选择为氟化镁、二氧化硅和氮化硅中的一种或多种;可选地,所述光疏介质层中两层所述介质材料层的材料选择为相同或不同。6.根据权利要求1‑3和5中任一项所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述光疏介质层的层数为至少一层。7.根据权利要求5所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,在所述光疏介质层的远离所述背表面的表面设置红外高反材料层,所述红外高反材料层用于将透射光反射到所述硅基异质结太阳能电池的所述背表面;可选地,所述红外高反材料层是由氮化铪和银组成的HfN/Ag复合材料。8.一种如权利要求1‑7中任一项所述的硅基异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:利用物理沉积方法在所述硅基异质结太阳能电池的背表面沉积透明的光疏介质层。9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述利用物理沉积方法在所述硅基异质结太阳能电池的背表面沉积透明的光疏介质层,包括如下步骤:在所述硅基异质结太阳能电池的背表面沉积介质材料层;可选地,在所述硅基异质结太阳能电池的背表面沉积介质材料层之后,还包括如下步骤:在所述介质材料层沉积具有表面等离子体效应的金属纳米材料薄膜;在真空环境下利用激光照射所述金属纳米材料薄膜,使得所述金属纳米材料薄膜受热团聚形成金属纳米颗粒,从而在所述介质材料层表面形成纳米颗粒层;在所述纳米颗粒层表面再沉积一层介质材料层,使得所述纳米颗粒层包裹于两层所述介质材料层之间,从而在所述硅基异质结太阳能电池的所述背表面形成所述光疏介质层。10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,还包括如下步骤:利用物理沉积方法在所述光疏介质层的远离所述背表面的表面沉积红外高反材料层。2CN112635609A说明书1/8页一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法技术领域[0001]本公开涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。背景技术[0002]随着硅原料的缺乏,加速了硅片向薄片化发展。用于太阳能电池的正常硅片的厚度为150‑180μm,而薄片化的硅片的厚度为50‑130μm。薄片化的硅片制备获得的太阳能电池简称薄片电池。由于晶体硅是间接带材料,光吸收系数小,太阳能电池厚度减小时,由于透射光引起的损失随厚度的减小而增大,因此,薄片电池更容易造成对光利用的不充分和浪费,从而使得薄片电池比正常厚度电池的电流明显低很多。[0003]硅基异质结(SHJ)太阳能电池是目前主流的几种高效太阳能电池技术。SHJ太阳能电池具有高转化效率、低温度系数的特点,具有广阔的市场前景。图1示出了常规的SHJ太阳能电池的结构示意图。如图1所示,SHJ异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一ITO透明导电层、n型非晶或微晶层、