一种硅异质结太阳能电池及其制备方法.pdf

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明的制备方法包括：硅片处理步骤：硅片处理步骤包括预退火处理、制绒和清洗处理；非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤：在两面的透明导电膜层通过丝网印刷形成电极；退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中退火处理，得到硅异质结太阳能电池。本发明还公开了根据该制备方法得到的硅异质结太阳能电池。本发明的硅异质结太

2023-06-19

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一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法.pdf

本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，所述光疏介质层包括介质材料层，所述介质材料层的材料为光疏介质材料，所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。

2024-01-09

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一种硅异质结电池及其制备方法.pdf

本发明属于太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种硅异质结电池及其制备方法。该硅异质结电池由以下步骤制得：将厚度不超过130μm的单晶硅片进行双面制绒，然后将其背面刻蚀为平面；随后在正面依次沉积一层本征非晶硅和一层N型非晶硅；背面依次沉积一层本征非晶硅和P型非晶硅；然后在正背面分别沉积一层TCO导电薄膜；然后在背面依次沉积一层功能层和一层抗氧化焊接层，得到电池片；最后在正面印刷主副栅线制得。本发明基于硅片减薄和背面抛光双重新型技术，通过配套设计背面结构、厚度及材质，相互配合制得一种HJT电池，实现了在降低电

2023-06-07

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一种异质结太阳能电池及其制备方法.pdf

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，包括N型单晶硅片受光面叠设第一N+扩散层、本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶氧化硅层、第三N型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；背光面叠设第二N+扩散层、本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；受光面设置第一N+扩散层，能提供额外的场钝化效果提升少数载流子寿命，背光面引入第二N+层扩散与P型非晶硅层形成更强的PN结内建电场，提高电池转化效率，双面沉积多层非晶硅层，

2023-11-05

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一种异质结太阳能电池及其制备方法.pdf

本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；在第一掺杂层远离硅片的表面沉积第一缓冲层；在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二缓冲层；在第一缓冲层远离硅片的表面沉积第一氧化锡层，在第二缓冲层远离硅片的表面沉积第二氧化锡层，得到电池第一样品；对第一样品进行电镀铜，得到第一电池。采用本方法能够降低生产成本，且可靠性高，提高光利用率。

2024-01-08

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