异质结电池及异质结电池制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113488550A(43)申请公布日2021.10.08(21)申请号202110765905.8H01L31/0224(2006.01)(22)申请日2021.07.06H01L31/0747(2012.01)H01L31/20(2006.01)(71)申请人安徽华晟新能源科技有限公司地址242000安徽省宣城市宣城经济技术开发区安徽省宣城经济技术开发区科技园(72)发明人徐晓华周肃姚真真张良龚道仁王文静庄挺挺杨龙魏文文(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250代理人安志娇(51)Int.Cl.H01L31/0236(2006.01)H01L31/0216(2014.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称异质结电池及异质结电池制备方法(57)摘要本发明涉及太阳能电池技术领域，提供异质结电池及其制备方法。该异质结电池的制备方法包括，对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底；对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底；采用所述待加工N型衬底制备异质结电池。该异质结电池的制备方法制备的异质结电池，将N型衬底原片一面设计成绒面结构，另一面设计成光面结构，反射率增加，使光面的单位面积的缺陷态密度减小，使更多的载流子在PN结分离后能够穿过N型衬底与P型非晶/微晶硅层到达第二透明导电层；而且，光面的反射效果更好，可以增加长波光的吸收率，这些对于提高发电效率都起到重要的作用。CN113488550ACN113488550A权利要求书1/2页1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底；对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底；采用所述待加工N型衬底制备异质结电池；其中，所述待加工N型衬底的光面对300nm－1100nm波长范围的平均反射率介于30－55％之间。2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底的步骤中，包括：将所述N型衬底原片放置在浓度为1％－8％的NaOH溶液或KOH溶液中腐蚀，进行双面制绒，得到所述双绒N型衬底，其中，反应温度范围为60℃－90℃，反应时间范围为1min－20min；其中，所述N型衬底原片为80μm－180μm的N型单晶硅片。3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底的步骤之前，还包括：将所述N型衬底原片放置在浓度为10％－30％的NaOH溶液或KOH溶液中进行腐蚀，去除所述N型衬底原片表面的损伤层，其中，反应温度范围为60℃－90℃，反应时间范围为2min－20min。4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底的步骤中，包括：在所述双绒N型衬底的表面制备出氧化硅层；采用酸性溶液清洗所述双绒N型衬底的其中一侧的氧化硅层；采用碱性溶液对所述双绒N型衬底去除所述氧化硅层的一侧进行腐蚀；采用酸性溶液清洗所述双绒N型衬底的另一侧的氧化硅层；水洗所述双绒N型衬底，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底。5.根据权利要求4所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在所述双绒N型衬底的表面制备出氧化硅层的步骤中，包括：将所述双绒N型衬底放在管式扩散炉里并通入氧气，在两侧的绒面表面氧化出氧化硅层，其中，反应温度范围为700℃－1200℃，管式扩散炉里的压强范围为0.01MPa－2.5MPa，氧化时间为10min－120min，形成的所述氧化硅层的厚度范围为20nm－1000nm。6.根据权利要求4所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，采用酸性溶液清洗所述双绒N型衬底的另一侧的氧化硅层的步骤中，包括：在链式清洗设备中用浓度为0.8％－20％的HF溶液腐蚀掉所述双绒N型衬底的其中一侧的氧化硅层，其中，反应温度范围为20℃－25℃，反应时间范围为1min－20min。7.根据权利要求4所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，采用碱性溶液对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀的步骤中，包括：将一侧有氧化硅层的所述双绒N型衬底放在浓度为3％－20％的NaOH溶液或KOH溶液里，温度范围为80℃－90℃，对所述双绒N型衬底去除所述氧化硅层的一侧进行腐蚀。8.根据权利要求4所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，采用酸性溶液清洗所述2CN113488550A权利要求书2/2页双绒N型衬底的一侧的氧化硅层的步骤中，包括：采用浓度为0.8％－5％的HF溶液清洗掉所述双绒N型衬