一种硅基异质结电池的制备方法.pdf
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一种硅基异质结电池的制备方法.pdf
本发明公开了一种硅基异质结电池的制备方法,其包括:提供N型硅片;在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层,另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层;分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层;分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层和种子铜层;分别在两面的种子铜层上铺设感光干膜,通过曝光和显影在种子铜层上形成栅线图案;通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生成二氧化碳以去除种子铜层上的碳残留物;在种子铜层的栅线图案上电镀铜,形成铜栅线电极。本发明去除了种子铜层上
硅基异质结太阳电池的制备方法.pdf
本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法,所述制备方法包括:将硅片进行制绒处理;将制绒好的硅片置于磷扩散炉内进行磷扩散吸杂,以形成磷扩散掺杂N+扩散层;将硅片背面的磷硅玻璃层去除;将背面去除磷硅玻璃层的硅片进行抛光,并去除硅片正面的磷硅玻璃层,裸露出N+扩散层;对硅片进行清洗,在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层,硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层;在硅片正背面各沉积一层透明导电层,接着在硅片正背面印刷导电浆料栅线,并对导电浆料栅线进行固化。本发明提出的硅基异质结太阳电池
一种硅异质结电池及其制备方法.pdf
本发明属于太阳能电池制造技术领域,具体涉及一种硅异质结电池及其制备方法。该硅异质结电池由以下步骤制得:将厚度不超过130μm的单晶硅片进行双面制绒,然后将其背面刻蚀为平面;随后在正面依次沉积一层本征非晶硅和一层N型非晶硅;背面依次沉积一层本征非晶硅和P型非晶硅;然后在正背面分别沉积一层TCO导电薄膜;然后在背面依次沉积一层功能层和一层抗氧化焊接层,得到电池片;最后在正面印刷主副栅线制得。本发明基于硅片减薄和背面抛光双重新型技术,通过配套设计背面结构、厚度及材质,相互配合制得一种HJT电池,实现了在降低电
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法.pdf
本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层,所述光疏介质层包括介质材料层,所述介质材料层的材料为光疏介质材料,所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层,可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。
异质结电池及异质结电池制备方法.pdf
本发明涉及太阳能电池技术领域,提供异质结电池及其制备方法。该异质结电池的制备方法包括,对N型衬底原片进行双面制绒,得到双绒N型衬底;对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀,得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底;采用所述待加工N型衬底制备异质结电池。该异质结电池的制备方法制备的异质结电池,将N型衬底原片一面设计成绒面结构,另一面设计成光面结构,反射率增加,使光面的单位面积的缺陷态密度减小,使更多的载流子在PN结分离后能够穿过N型衬底与P型非晶/微晶硅层到达第二透明导电层;而且,光面的反射效果更好,可以